ReLU(Rectified Linear Unit) 활성화 함수를 구현하는 뉴런회로에 있어서,제1 저항을 포함하는 제1 반전증폭기;상기 제1 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 제2 저항;상기 제2 저항의 타단에 연결되고, 가변저항을 포함하는 제2 반전증폭기; 및상기 제2 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 다이오드를 포함하되,상기 제1 반전증폭기 및 상기 제2 반전증폭기의 비반전 입력단자로 기설정된 전압이 인가되는 뉴런회로.

제 1 항에 있어서,상기 제1 반전증폭기는,제1 연산증폭기; 및일단이 상기 제1 연산증폭기의 반전 입력단자에 연결되고, 타단이 상기 제1 연산증폭기의 출력단자에 연결된 상기 제1 저항을 포함하는 뉴런회로.

제 2 항에 있어서,상기 제2 반전증폭기는,제2 연산증폭기; 및일단이 상기 제2 연산증폭기의 반전 입력단자 및 상기 제2 저항에 연결되고, 타단이 상기 제2 연산증폭기의 출력단자에 연결된 상기 가변저항을 포함하는 뉴런회로.

제 1 항에 있어서,일단이 상기 다이오드에 연결되고 타단은 접지된 출력저항을 더 포함하는 뉴런회로.

제 1 항에 있어서,상기 가변저항은,상기 뉴런회로로 인가되는 입력전류의 크기에 따라 기설정된 저항값으로 가변되는 뉴런회로.

제 1 항에 있어서,상기 가변저항은,상기 뉴런회로의 개수에 따라 기설정된 저항값으로 가변되는 뉴런회로.

제 1 항에 있어서,상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 동일한 것인 뉴런회로.

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제 1 항에 있어서,상기 전압은 상기 다이오드의 턴온(turn-on)전압과 동일한 뉴런회로.

뉴런회로를 제어하는 뉴런회로 제어방법에 있어서,적어도 두 개의 뉴런회로 중 최대 출력 전압을 추출하는 단계;상기 최대 출력 전압과 기설정된 제1 전압을 비교하는 단계;상기 최대 출력 전압이 상기 제1 전압보다 큰 경우 가변저항을 감소시키는 단계;상기 최대 출력 전압이 상기 제1 전압보다 작은 경우 상기 최대 출력 전압과 기설정된 제2 전압을 비교하는 단계; 및상기 최대 출력 전압이 상기 제2 전압보다 큰 경우 상기 가변저항을 증가시키는 단계를 포함하되,상기 뉴런회로는 제1 저항을 포함하는 제1 반전증폭기;상기 제1 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 제2 저항;상기 제2 저항의 타단에 연결되고, 상기 가변저항을 포함하는 제2 반전증폭기; 및상기 제2 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 다이오드를 포함하는 뉴런회로 제어방법.

제 10 항에 있어서,상기 제1 전압은 상기 제2 전압보다 크게 설정되는 뉴런회로 제어방법.

제 11 항에 있어서,상기 가변저항을 증가시키는 단계는상기 뉴런회로의 개수에 따라 상기 가변저항을 기설정된 저항값으로 가변하는 단계를 포함하는 뉴런회로 제어방법.

복수개의 시냅스 유닛을 포함하는 크로스바(crossbar) 형태의 시냅스 어레이; 및상기 시냅스 어레이와 전기적으로 연결되고, ReLU(Rectified Linear Unit) 활성화 함수를 구현하는 뉴런회로를 포함하고,상기 뉴런회로는,제1 저항을 포함하는 제1 반전증폭기;상기 제1 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 제2 저항;상기 제2 저항의 타단에 연결되고, 가변저항을 포함하는 제2 반전증폭기; 및상기 제2 반전증폭기의 출력단자에 일단이 연결된 다이오드를 포함하되,상기 제1 반전증폭기 및 상기 제2 반전증폭기의 비반전 입력단자로 기설정된 전압이 인가되는 뉴로모픽 시스템.