| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 겔 고분자 전해질.[화학식 1](화학식 1에서, R1 내지 R3는 각각 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.) |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 R1은 수소 또는 메틸기이고, 상기 R2 및 R3는 수소인 겔 고분자 전해질. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 n은 1인 겔 고분자 전해질. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 0.1 내지 5 중량% 포함하는 겔 고분자 전해질. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 겔 고분자 전해질은 유기 용매 및 전해질염을 더 포함하는 겔 고분자 전해질. |
| 6 | 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 겔 고분자 전해질을 포함하는 전기화학 소자. |
| 7 | 제6항에 있어서,양극 및 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이에 개재되고, 상기 겔 고분자 전해질을 포함하는 세퍼레이터를 포함하고,상기 양극 및 음극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 고분자막이 형성된 전기화학 소자. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 음극의 표면에 고분자막이 형성된 전기화학 소자. |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 고분자막은 산화반응으로 형성된 산화피막인 전기화학 소자. |