| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막의 제조 방법에 있어서,기판 위에 바나듐(V)과 텅스텐산화물(WO3)을 적층하여 박막층을 형성하는 제1단계;상기 제1단계의 상기 박막층에 대하여 산화공정을 진행하는 제2단계; 및상기 제2단계의 상기 산화공정을 통하여 이산화바나듐(VO2) 층과 텅스텐 도핑된 이산화바나듐 층이 나눠지는 적층 구조가 형성되는 제3단계를 포함하고,상기 제1 내지 제3 단계들을 통하여 제조되는 코팅 박막은 적외선 영역의 방사율에 의한 전이 곡선이 완만해지는 것을 특징으로 하는 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막의 제조 방법. |
| 2 | 제1 항에 있어서,상기 제1단계의 기판은 석영(쿼츠, quartz), 운모(마이카, mica) 또는 실리콘산화막(SiO2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막의 제조 방법. |
| 3 | 제1 항에 있어서,상기 제2단계에서 상기 박막층은 스퍼터링, 진공증발법 및 화학기상증착법(CVD) 중 어느 한 방식을 이용하여 바나듐산화물과 텅스텐산화물 조성을 바꾸며 적층되는 것을 특징으로 하는 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막의 제조 방법. |
| 4 | 제1 항에 있어서,상기 제2단계의 산화공정에서의 온도 분위기는 400도(℃) 내지 500도(℃)인 것을 특징으로 하는 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막의 제조 방법. |
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