| 번호 | 청구항 |
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| 6 | 제1항에 있어서,상기 중합성 모노머는 분자량이 150 이하인 커패시터. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 전해액은 전해질염을 더 포함하는 커패시터. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 고분자 막의 두께는 0.1 내지 50nm인 커패시터. |
| 10 | 중합성 모노머를 포함하는 전해액을 양극 및 음극을 포함하는 양 전극 사이에 개재하는 단계 및 상기 양 전극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 고분자 막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 고분자 막은 상기 중합성 모노머가 중합한 고분자를 포함하는 커패시터의 제조 방법. |
| 1 | 양극 및 음극을 포함하는 양 전극, 상기 양 전극 사이에 개재된 전해액 및상기 양 전극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 형성된 고분자 막을 포함하고,상기 전해액은 중합성 모노머를 포함하고,상기 고분자 막은 상기 중합성 모노머가 중합한 고분자를 포함하는 커패시터. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 중합성 모노머는 하기 화학식 1로 표시되는 에틸렌계 모노머 또는 헤테로환을 포함하는 헤테로환계 모노머를 포함하는 커패시터.[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1 및 R4는 각각 독립적으로 수소 직쇄형 또는 분지형 알킬기, 시클로 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기를 나타낸다. R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 직쇄형 또는 분지형 알킬기, 시클로 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로 아릴기, 할로겐 원자, 할로포르밀기, 카르보닐기, 알데히드기, 카르복실기, 에스터기, 아미드기, 시안산기, 이소시안산기, 니트릴기, 니트로기, 술포닐기, 술포기, 술피닐기, 아민, 히드록시기 또는 알콕시기를 나타낸다.) |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 헤테로환은 고리형 탄화수소에서 1개 이상의 탄소가 헤테로 원자로 치환된 것이고, 상기 헤테로 원자는 S, O, N 및 P 중 1종 이상인 커패시터. |
| 4 | 제2항에 있어서,상기 헤테로환은 비치환 또는 알킬기, 아민기, 에스터기 또는 아미드기로 치환된 커패시터. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 전해액은 상기 전해액 100 중량%에 대하여, 상기 중합성 모노머를 0.0001 내지 0.1 중량% 포함하는 커패시터. |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 전해액을 양 전극 사이에 개재하는 단계에서,상기 전해액 100 중량% 내에 상기 중합성 모노머를 0.01 내지 10 중량% 포함하는 커패시터의 제조 방법. |
| 12 | 제10항에 있어서,상기 고분자 막을 형성하는 단계에서, 상기 양 전극에 전압을 인가하는 커패시터의 제조 방법. |
| 13 | 제12항에 있어서,상기 고분자 막을 형성하는 단계에서, 상기 양 전극에 5.0V 이하의 전압을 인가하는 커패시터의 제조 방법. |
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