| 번호 | 청구항 |
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| 2 | 제1항에 있어서, 상기 c-ZTO 박막은 Sn 1몰에 대한 Zn의 몰 비율이 2인 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
| 1 | 진공 스퍼터링 공정을 통해 기판에 a-ZTO박막을 증착하는 단계; 및상기 증착된 a-ZTO 박막을 어닐링 공정을 통해 c-ZTO박막으로 결정화시키는 단계를 포함하되,상기 어닐링 공정은 진공상태를 초기 상태로 하고, 공정 중 압력을 상승시키는 방식으로 진행되는 것으로,상기 어닐링 공정을 50분 내지 80분 동안 진행함으로써 550℃ 이하의 온도 범위에서 상기 증착된 a-ZTO 박막을 c-ZTO박막으로 결정화시키는 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 공정은 ZnO 및 SnO2를 타겟으로 하여 동시스퍼터링 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
| 4 | 제1항에 있어서, 상기 어닐링 공정은 급속 열처리 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
| 5 | 제1항에 있어서, 상기 어닐링 공정 중의 압력은, 초기 진공상태일 때에는 0.05Torr 이하이고,공정 중 1Torr 내지 1000Torr의 압력 범위에서 선택되는 어느 하나의 압력까지 상승시키는 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
| 6 | 제5항에 있어서, 상기 압력 범위는 760Torr 내지 1000Torr인 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
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| 8 | 제1항에 있어서, 상기 공정 중 압력을 상승시키는 방법은,상기 어닐링 공정 중 반응기에 비활성 기체를 투입하는 방식으로 하는 것을 특징으로 하는 ZTO 박막 저온 결정화 방법. |
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