| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 배면전극이 코팅된 기판의 배면전극 상에 안티모니 금속 전구체층을 형성하는 단계; 및상기 안티모니 금속 전구체층을 셀레늄 증기 분위기에서 셀렌화하여 안티모니 셀레나이드(Sb2Se3) 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 안티모니 셀레나이드 광 흡수층을 형성하는 단계는, 챔버 내부에 안티모니 금속 전구체층이 형성된 기판 및 셀레늄이 담지된 크누센 셀을 배치하는 단계; 상기 기판을 반응온도까지 승온 가열시키고, 상기 승온 가열 중에 상기 크누센 셀을 가열하여 상기 셀레늄을 증발시키고, 상기 증발된 셀레늄이 상기 기판의 안티모니 금속 전구체층에 증착되는 단계; 및상기 기판을 반응온도로 유지 가열시키고, 상기 유지 가열 중에 상기 크누센 셀을 가열하여 증발된 셀레늄을 상기 안티모니 금속 전구체층에 계속하여 공급하고, 상기 증착된 셀레늄 및 안티모니가 반응하여 안티모니 셀레나이드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 안티모니 금속 전구체층을 형성하는 단계는 진공증착법, 스퍼터링, 화학기상증착법, 열분해법 및 CBD법 중 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 제 1 항에 있어서, 상기 반응온도는 300 ℃ 내지 500 ℃인 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 증착되는 단계에서, 상기 기판을 반응온도까지 승온 가열시키는 공정은 20 분 내지 40 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 7 | 제 1 항에 있어서,상기 안티모니 셀레나이드를 형성하는 단계는 5 분 내지 20 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 8 | 제 1 항에 있어서,상기 안티모니 셀레나이드 광 흡수층을 형성하는 단계는 10-1 Torr 내지 10-3 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 9 | 제 1 항에 있어서, 상기 안티모니 셀레나이드 광 흡수층을 형성하는 단계 이후에, 상기 안티모니 셀레나이드 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극 상에 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지의 제조방법. |
| 10 | 제 1 항의 방법으로 제조된 안티모니 셀레나이드 박막 태양전지. |
