Ｉｎ２Ｓ３－ＣｄＳ 이중버퍼층을 이용한 ＣＩＧＳ 박막의 핀홀 감소 방법
Method for compensation of pin-holes in CIGS photovoltaic absorber using In2S3-CdS hybrid buffer layer
특허 요약
본 발명은 CIGS 박막태양전지에 사용되는 CIGS 광흡수층의 표면에 발생하는 핀홀을 감소하고 표면 거칠기를 완화할 수 있는 방법으로서, CIGS 광흡수층에 In 2 S 3 버퍼층을 먼저 형성한 후 CdS 버퍼층을 형성하는 기술에 관한 것이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 기판에 하부전극을 형성하는 단계(1); 상기 하부전극 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계(2); 상기 CIGS 광흡수층 위에 In2S3 버퍼층을 형성하는 단계(3); 상기 In2S3 버퍼층 위에 CdS 버퍼층을 형성하는 단계(4); 및 상기 CdS 버퍼층 위에 상부전극을 포함하는 나머지 층을 형성하는 단계(5)를 포함하는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법. |
| 2 | 제1항에서, 상기 CIGS 광흡수층은 금속전구체-셀렌화 공정 또는 3단계 동시증발법에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법. |
| 3 | 제1항에서, 상기 In2S3 버퍼층은 CdS 버퍼층보다 두께가 얇게 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법. |
| 4 | 제1항에서, 상기 In2S3은 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법. |
| 5 | 제1항에서, 상기 CdS는 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법. |
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