제9항에 있어서, 상기 보호 용액의 용매의 끓는점 보다 상기 조막제의 끓는점이 더 높은 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제11항에 있어서, 상기 조막제는 텍사놀(texanol) 또는 테르피네올(terponeol)인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제11항에 있어서, 상기 가열 공정을 위해 인가되는 온도는 상기 보호 용액의 끓는점 이상이고, 상기 조막제의 끓는점 미만인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 도포된 2차 혼합물을 소결하는 단계는 상기 금속 입자 및 상기 세라믹 입자에 열 에너지를 인가하여 상기 기판에 인접할수록 상기 금속 입자의 농도가 증가하고, 상기 기판과 대향하는 면을 향해 상기 세라믹 입자의 농도가 증가하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

기판 상에 형성된 필러층;상기 필러층 상에 돌출된 형태로 제공되는 탄소나노튜브; 및상기 탄소나노튜브 상에 형성된 보호층을 포함하고,상기 보호층은 상기 탄소나노튜브를 boron oxide(BO) 또는 ammonium pentaborate octahydrate(APO)로 표면처리하여 형성된 C-O-B 결합 또는 상기 탄소나노튜브를 tri-butyl phosphate(TBP)로 표면처리하여 형성된 C-O-P 결합을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자.

제1항에 있어서, 상기 필러층은기판과 접하고 금속 입자가 세라믹 입자에 비해 높은 농도를 가지는 접착층; 및상기 접착층 상에 형성되고, 상기 세라믹 입자가 상기 금속 입자에 비해 높은 농도를 가지는 산화 차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자.

제2항에 있어서, 상기 세라믹 입자는 TiO2를 가지며, 상기 금속 입자는 Ni을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자.

제2항에 있어서, 상기 접착층에서 상기 금속 입자의 농도는 상기 기판에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자.

제2항에 있어서, 상기 산화 차단층에서 상기 세라믹 입자의 농도는 상기 기판과 대향하는 상기 필러층의 표면에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자.

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boron oxide(BO), ammonium pentaborate octahydrate(APO) 또는 tri-butyl phosphate(TBP)가 포함된 보호 용액을 준비하는 단계;금속 입자 및 세라믹 입자를 가지는 필러 입자들 및 탄소나노튜브가 포함된 탄소나노튜브 페이스트를 준비하는 단계;상기 보호 용액과 상기 탄소나노튜브 페이스트를 혼합하여 1차 혼합물을 형성하는 단계;상기 1차 혼합물에서 상기 보호 용액의 용매를 제거하고, 바인더 및 조막제가 포함된 2차 혼합물을 형성하는 단계;기판 상에 상기 2차 혼합물을 도포하는 단계;상기 도포된 2차 혼합물을 소결하여 상기 바인더 및 상기 조막제를 제거하고, 상기 보호 용액에 포함된 붕소 또는 인으로 상기 탄소나노튜브를 표면 처리하는 단계; 및상기 표면 처리된 탄소나노튜브를 활성화시키는 단계를 포함하는 전자방출 소자의 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 페이스트를 준비하는 단계는상기 필러 입자들 및 상기 탄소나노튜브를 알코올류에 혼합하는 단계; 및상기 알코올류를 필터링하여 상기 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 2차 혼합물을 형성하는 단계는상기 1차 혼합물에 포함된 상기 보호 용액의 용매를 제거하기 위해 가열 공정을 수행하는 단계; 및상기 가열 공정에서 상기 보호 용액의 용매가 잔류하는 상태에서 상기 바인더 및 상기 조막제를 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제9항에 있어서, 상기 바인더 및 상기 조막제를 혼합하는 단계 이후에, 상기 가열 공정의 진행을 통해 상기 보호 용액의 용매를 완전히 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.

제14항에 있어서, 상기 도포된 2차 혼합물을 소결하는 단계는 상기 탄소나노튜브의 표면 처리에 의해 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 보호층을 형성하고, 상기 보호층은 상기 탄소나노튜브의 탄소 원자와 C-O-B 결합 또는 C-O-P 결합을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법.