전자를 방출하는 음극부, 상기 음극부의 상부에 배치되며 상기 음극부에서 전자를 방출시키는 그리드 전극 및 상기 그리드 전극의 상부에 배치되는 양극부를 포함하는 전자 방출 장치에 있어서, 상기 음극부는, 표면에 돌출부와 오목부를 포함하는 요철이 형성된 기판; 및 상기 기판의 상부에 형성되는 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

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제1항에 있어서, 상기 기판의 표면에 형성된 요철은, 바둑판의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제1항에 있어서, 상기 기판의 표면에 형성된 요철은, 원기둥 형태의 돌출부와 상기 돌출부를 감싸는 링 형태의 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제1항에 있어서, 상기 기판의 표면에 형성된 요철은, 원기둥 형태의 오목부와 상기 오목부를 감싸는 링 형태의 돌출부와 상기 돌출부를 감싸는 링 형태의 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제1항에 있어서, 상기 기판의 표면에 형성된 오목부는, 적어도 두 개의 홀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제1항에 있어서, 상기 에미터는 CNT, 카본 필름(Carbon films), 카본 관 나노 코일(Carbon Tubule Nanocoils), 알루미늄 질화물 나노로드(Aluminum nitride nanorods) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제7항에 있어서, 상기 CNT 에미터는 상기 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제8항에 있어서, 상기 CNT 에미터는, 상기 기판의 표면에 형성된 돌출부에 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제9항에 있어서,상기 기판의 표면에 형성된 돌출부에 형성된 CNT 에미터로부터 전자가 방출되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

전자를 방출하는 음극부, 상기 음극부의 상부에 배치되며 상기 음극부에서 전자를 방출시키는 그리드 전극 및 상기 그리드 전극의 상부에 배치되는 양극부를 포함하는 전자 방출 장치에 있어서, 상기 음극부는, 레이저 가공에 의해 표면에 돌출부와 오목부를 포함하는 요철이 형성된 기판; 및 상기 기판의 상부에 형성되는 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

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제11항에 있어서, 상기 기판의 표면에 형성된 요철은, 바둑판의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제11항에 있어서, 상기 에미터는 CNT, 카본 필름(Carbon films), 카본 관 나노 코일(Carbon Tubule Nanocoils), 알루미늄 질화물 나노로드(Aluminum nitride nanorods) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제14항에 있어서, 상기 CNT 에미터는 상기 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제15항에 있어서, 상기 CNT 에미터는 상기 기판의 표면에 형성된 돌출부에 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.

제16항에 있어서,상기 기판의 표면에 형성된 돌출부에 형성된 CNT 에미터로부터 전자가 방출되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치의 음극부 구조.