| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 압전 잉크젯 프린팅 방식으로 기판상에 씨드물질 및 제 1용매를 포함하는 잉크를 복수개의 액적으로 분사하여 상기 기판상에 액적 패턴을 형성하는 단계;상기 기판상에 형성된 액적 패턴의 제 1용매를 증발시킨 후 고체 상태 디웨팅을 진행하여 상기 액적 패턴으로 나노입자 클러스터 패턴을 형성하는 단계;압전 잉크젯 프린팅 방식으로 상기 나노입자 클러스터 패턴 상에 나노로드 전구체 및 제 2용매를 포함하는 나노로드 전구체 잉크를 증착하여 상기 나노입자 클러스터 패턴을 나노로드 패턴으로 성장시키는 단계;압전 잉크젯 프린팅 방식으로 상기 기판상에 형성하되, 상기 나노로드 패턴 사이 영역에 활성 전극 및 상대 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 형성하되, 상기 활성 전극, 상기 상대 전극 및 상기 나노로드 패턴 표면을 준고체 전해질로 감싸는 준고체 전해질층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 씨드물질은 Ag 나노입자, Au 나노입자, ZnO, MnO2 및 Co(NO3)2로 구성된 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 제 1용매는 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 에탄올(ethanol) 및 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone)로 구성된 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 4 | 제 1항에 있어서,상기 나노로드 전구체는 AgNO3, ZnCl2, Mn(NO3)2 및 Co(NO3)2로 구성된 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 준고체 전해질은 폴리바이닐 알코올(polyvinyl alcohol), 수산화 칼륨(potassium hydroxide), 폴리에틸렌 옥사이드(polyethylene oxide), 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride) 및 폴리프로필렌 옥사이드(polypropylene oxide)로 구성된 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 6 | 제 1항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 상기 액적 패턴의 액적 직경은 40 mm 내지 100 mm인 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 7 | 제 1항에 있어서,상기 나노로드패턴의 나노로드는 상기 기판으로부터 수직 배향된 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 8 | 제 1항에 있어서,상기 나노로드 전구체 잉크는 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 9 | 제 1항에 있어서,상기 나노입자 클러스터 패턴을 나노로드 패턴으로 성장시키기 위해 성장 온도 및 상기 나노로드 전구체 잉크의 나노로드 전구체 함량을 조절하여 상기 나노로드의 성장을 제어하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 10 | 제 9항에 있어서,상기 나노로드 패턴으로 성장시키기 위한 성장 온도는 20℃ 내지 150℃를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 11 | 제 9항에 있어서,상기 나노로드 전구체 잉크의 나노로드 전구체 함량은 1.0 wt% 내지 15.0 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 12 | 제 1항에 있어서,상기 활성 전극 및 상기 상대 전극은 인터디지테이티드(Interdigitated) 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법. |
| 13 | 제 1항에 따른 압전 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 전극 구조체 제조방법으로 제조된 전극 구조체. |
| 14 | 기판 상에 위치하는 복수개의 나노로드를 포함하는 나노로드 패턴;상기 기판상에 위치하되, 상기 나노로드 패턴 사이 영역에 위치하는 활성 전극 및 상대 전극; 및상기 기판 상에 위치하되, 상기 활성 전극, 상기 상대 전극 및 상기 복수개의 나노로드를 감싸는 준고체 전해질층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 구조체. |
| 15 | 제 14항에 있어서,상기 복수개의 나노로드 각각의 높이는 500 nm 내지 1.2 mm인 것을 특징으로 하는 전극 구조체. |
| 16 | 제 14항에 있어서,상기 복수개의 나노로드 각각의 이격 거리는 10 mm 내지 100 mm인 것을 특징으로 하는 전극 구조체. |
