복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며, 상기 멤리스터의 활성층은 PVP(poly(4-vinylphenol)로 이루어지고, 상기 금속 화합물층은 pH의 농도에 따라 변색 가능한 메틸 레드층(methyl red)으로 이루어진 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

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제1항에 있어서, 상기 금속 화합물층은상기 멤리스터의 활성층과 상기 메틸 레드층 사이에 Ti3C2층을 더 포함하는 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

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복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며,상기 멤리스터의 활성층은 PEDOT(폴리 에틸렌 디옥시 티오펜)과 PSS(폴리스티렌술폰산)과의 복합체(PEDOT:PSS, Poly Ethylene Di Oxy Thiophene : Poly Styrene Sulfonate)로 제작되며, 상기 멤리스터의 활성층은 PEDOT(폴리 에틸렌 디옥시 티오펜)과 PSS(폴리스티렌술폰산)과의 복합체(PEDOT:PSS, Poly Ethylene Di Oxy Thiophene : Poly Styrene Sulfonate)와 나노 은 사이에 위치하는 그래핀 옥사이드를 더 포함하는 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며,상기 멤리스터의 활성층은 PEDOT(폴리 에틸렌 디옥시 티오펜)과 PSS(폴리스티렌술폰산)과의 복합체(PEDOT:PSS, Poly Ethylene Di Oxy Thiophene : Poly Styrene Sulfonate)로 제작되며, 상기 금속 화합물층은 산화아연층으로 이루어진 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며,상기 멤리스터의 활성층은 PEDOT(폴리 에틸렌 디옥시 티오펜)과 PSS(폴리스티렌술폰산)과의 복합체(PEDOT:PSS, Poly Ethylene Di Oxy Thiophene : Poly Styrene Sulfonate)로 제작되며, 상기 금속 화합물층은 산화아연층으로 이루어지며, 상기 멤리스터의 활성층은 PEDOT(폴리 에틸렌 디옥시 티오펜)과 PSS(폴리스티렌술폰산)과의 복합체(PEDOT:PSS, Poly Ethylene Di Oxy Thiophene : Poly Styrene Sulfonate)와 산화아연층 사이에 위치하는 그래핀 양자점(graphene quantum dots)과 PVR(poly(4-vinylphenol)의 화합물을 더 포함하는 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며,상기 멤리스터의 활성층은 그래핀 양자점(graphene quantum dots)과 PVR(poly(4-vinylphenol)의 화합물로 제작되며, 상기 금속 화합물층은 산화아연층으로 이루어진 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

복수의 멤리스터가 병렬로 연결되어 상기 멤리스터별 가변 저항 상태가 형성되는 어레이를 포함하고,상기 멤리스터는 전극층에 연결되어 온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압이 온(on) 동작전압 이상이 되거나 혹은 오프(off) 동작 전압 이하가 되는지 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변되는 소자이고,상기 전극층에 연결된 멤리스터는 활성층이 소정의 금속 화합물층에 적층되어 전압 인가 시 기설정된 스니크 전류값 미만으로 스니크 전류(sneak current)가 발생하는 것을 특징으로 하며,상기 멤리스터의 활성층은 그래핀으로 제작되며, 상기 금속 화합물층은 산화아연층으로 이루어진 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

제1항, 3항 및 5항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극층은 나노 은 소자, 골드 금속층, 알루미늄층 및 ITO(Indium Tin Oxide) 중 어느 하나로 이루어진 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

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제1항에 있어서, 상기 멤리스터는,상기 기설정된 멤리스터의 온(on) 동작 전압을 초과하는 전압의 전원이 인가되는 경우 기설정된 저항값 미만의 저항 상태를 저장하고, 오프(off) 동작 전압 이하의 전압의 전원이 인가되는 경우 기설정된 저항값 이상의 저항 상태를 저장함을 특징으로 하는 스니크 전류 제어 기반 멤리스터 소자 어레이.

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제1항에 있어서, 상기 어레이는,복수의 열(row)라인별 복수의 멤리스터가 레지스터와 병렬로 연결되어 전원 입력 및 데이터 처리를 위한 기설정된 바(bar) 및 상기 기설정된 바와 크로스되어 접지를 수행하는 바를 포함함을 특징으로 하는 스니크 전류 기반 멤리스터 소자 어레이.