| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 아연 주석 산화물(ZTO)의 전하 수송층 및 SY(Super Yellow) 유기 발광층에 PVK-Li 또는 PVK-Cu로 도핑하여 제조되며,상기 유기 발광층은, 화학식 1로 표시되는 폴리(9-비닐카르바졸설포네이트) 금속염인 것이 특징인 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질로 도핑된 것을 특징으로 하는 전기화학 발광 트랜지스터.[화학식 1]화학식 1에서 x는 50 |
| 2 | 제1항에 있어서, 상기 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질은, (a) 폴리비닐카바졸을 설폰화시키는 단계; 및(b) 설폰화된 폴리비닐카바졸 용액에 금속아세테이트염 용액을 첨가하여 이온교환 공정을 수행하는 단계로 제조되는 것을 특징으로 하는 전기화학 발광 트랜지스터. |
| 3 | 제2항에 있어서, 상기 이온교환 공정은 투석 및 진공 건조 공정인 것을 특징으로 하는 전기화학 발광 트랜지스터. |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질의 양은 유기 발광층 100중량부에 대하여 0.1~0.5중량부인 것을 특징으로 하는 전기화학 발광 트랜지스터. |
| 7 | (a) 기판 상에서 Ar, O2 및 N2의 반응성 가스 하에서 금속을 타켓으로 하는 반응성 자성 스퍼터를 이용하여 무기 금속 산화물을 증착하여 전하 수송층을 형성하는 단계; 및(b) 제1항의 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질 용액과 유기 발광층 형성용 용액을 혼합한 다음, 용매를 증발시키고 상기 전하 수송층 상에서 코팅하여 유기 발광층을 형성하는 단계;를 포함하는 전기화학 발광 트랜지스터의 제조방법. |
| 8 | 제7항에 있어서, 상기 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질 용액의 농도는 0.30~0.70중량%인 것을 특징으로 하는 전기화학 발광 트랜지스터의 제조방법. |
| 9 | 제7항에 있어서, 상기 기판의 두께는 100 |
