| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 다음 단계를 포함하며, 화학식 1로 표시되는 폴리(9-비닐카르바졸설포네이트) 금속염인 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질의 제조방법:(a) 폴리비닐카바졸을 설폰화시키는 단계; 및(b) 설폰화된 폴리비닐카바졸 용액에 금속아세테이트염 용액을 첨가하여 이온교환 공정을 수행하는 단계.[화학식 1]화학식 1에서 x는 50 |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 이온교환 공정은 투석 및 진공 건조 공정인 것을 특징으로 하는 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질의 제조방법. |
| 4 | 전하 수송층 및 유기 발광층을 포함하는 전기화학 트랜지스터에 제조 공정에 적용되어, 상기 유기 발광층을 도핑하는 조성물로서,제1항의 폴리비닐카바졸 기반 고분자 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학 트랜지스터용 도핑 조성물. |
| 5 | 제4항에 있어서, 상기 유기 발광층은 SY (Super Yellow), MEH-PPV (Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]), PFO (Poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)), F8BT (Poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) 및 폴리[(9,9-디-n-옥틸플루오레닐-2,7-디일)-alt-(벤조[2,1,3]티아디아졸-4,8-디일)])(Poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)])으로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전기화학 트랜지스터용 도핑 조성물. |
