DBR이 없는 단방향 수직 공진 표면 발광 레이저
UNIDIRECTIONAL VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER WITH NO DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR
특허 요약
본 개시의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따르면, 기판, 기판의 상부에 형성되는 활성층, 기판의 상부에 형성되는 슬랩층, 및 슬랩층의 상부에 형성되고, 굴절률이 상대적으로 큰 제1 매질과 굴절률이 상대적으로 작은 제2 매질이 주기적으로 배열되는 격자층을 포함하되, 슬랩층의 굴절률은, 격자층의 제1 매질의 굴절률과 동일하고 기판의 굴절률보다 큰, 수직 공진 표면 발광 레이저가 제공된다.
청구항
번호청구항
1

하나의 물질로 구성되는 기판;상기 기판의 상부에 형성되는 활성층(active layer);상기 기판의 상부에 형성되는 슬랩층(slab layer); 및상기 슬랩층의 상부에 형성되고, 굴절률이 상대적으로 큰 제1 매질과 굴절률이 상대적으로 작은 제2 매질이 주기적으로 배열되는 격자층(grating layer);를 포함하되,분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector (DBR))를 포함하지 않고,상기 슬랩층의 굴절률은, 상기 격자층의 상기 제1 매질의 굴절률과 동일하고 상기 기판의 굴절률보다 크고,발진 파장에서 1차 회절 성분에 의한 공진 및 2차 회절 성분에 의한 공진을 여기시켜 단방향 발진이 가능하도록 하기 위해, 상기 격자층의 주기는 상기 발진 파장과 상기 슬랩층의 굴절률의 비율의 2배 이상인, 수직 공진 표면 발광 레이저.

2

제1항에 있어서, 상기 슬랩층의 굴절률은 상기 기판의 굴절률의 2배 이상인, 수직 공진 표면 발광 레이저.

3

제1항에 있어서, 상기 활성층은 상기 슬랩층의 내부에 위치하는, 수직 공진 표면 발광 레이저.

4

제1항에 있어서, 상기 슬랩층은 상기 기판의 상면과 접하는, 수직 공진 표면 발광 레이저.

5

제1항에 있어서, 상기 슬랩층과 상기 격자층의 상기 제1 매질은 동일한 물질이 일체로 형성되는, 수직 공진 표면 발광 레이저.

6

제5항에 있어서, 상기 슬랩층 및 상기 격자층의 상기 제1 매질은 갈륨아세나이드(GaAs)를 포함하는 물질로 형성되는, 수직 공진 표면 발광 레이저.

7

제1항에 있어서,상기 격자층의 상기 제1 매질에 대응하는 영역의 길이와 상기 격자층의 주기 사이의 비율(fill factor(FF))은 0.3 이상 0.7 미만인, 수직 공진 표면 발광 레이저.

8

삭제

9

제1항에 있어서, 상기 발진 파장과 상기 기판의 굴절률의 비율은, 상기 격자층의 주기보다 큰, 수직 공진 표면 발광 레이저.

10

제1항에 있어서, 상기 기판은 알루미늄 옥사이드(AlOx)를 포함하고 DBR을 포함하지 않는, 수직 공진 표면 발광 레이저.

11

삭제