기판; 및상기 기판 상에 형성되는 광전송층을 포함하며,상기 광전송층은,서로 이웃하여 형성된 제1 릿지 및 제2 릿지; 및상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지의 사이에 형성된 트렌치를 포함하고,상기 트렌치는 상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지 사이의 상기 기판의 상면의 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

제1항에 있어서,상기 트렌치의 폭은 상기 제1 릿지와 상기 제2 릿지 사이의 간격과 동일하거나 그보다 작은 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

제1항에 있어서,상기 트렌치의 깊이는, 상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지의 아래의 상기 광전송층의 하부 영역의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

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기판; 및상기 기판 상에 형성되는 광전송층을 포함하며,상기 광전송층은,서로 이웃하여 형성된 제1 릿지 및 제2 릿지; 및상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지의 사이에 형성된 트렌치를 포함하고,TM 모드의 결합 길이(coupling length)와 TE 모드의 결합 길이가 동일한 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

제5항에 있어서,상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지 중 어느 하나의 단부로부터 상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지 양쪽의 반대쪽 단부까지의 전송 경로에 걸쳐, 상기 TM 모드의 결합 길이와 상기 TE 모드의 결합 길이가 동일한 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

기판; 및상기 기판 상에 형성되는 광전송층을 포함하며,상기 광전송층은,서로 이웃하여 형성된 제1 릿지 및 제2 릿지; 및상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지의 사이에 형성된 트렌치를 포함하고,상면에서 보았을 때, 상기 제1 릿지와 상기 제2 릿지 사이의 간격이 일정하게 연장되는 직선 구간과, 상기 제1 릿지와 상기 제2 릿지 사이의 간격이 상기 직선 구간의 간격으로부터 점차적으로 증가하도록 형성된 휜(bending) 구간을 갖고,상기 직선 구간에서 TM 모드의 결합 길이는 TE 모드의 결합 길이보다 작고, 상기 휜 구간에서 TE 모드의 결합 길이가 TE 모드의 결합 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

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기판; 및상기 기판 상에 형성되는 광전송층을 포함하며,상기 광전송층은,서로 이웃하여 형성된 제1 릿지 및 제2 릿지; 및상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지의 사이에 형성된 트렌치를 포함하고,상기 제1 릿지 및 상기 제2 릿지 각각은, TE 모드에서의 실효 굴절률(effective index)과 TM 모드에서의 실효 굴절률이 동일한 값을 갖도록 하는 폭과 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.

제1항에 있어서,상기 기판은 SiO2로 형성되고, 상기 광전송층은 Si 및 Si3N4 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 광 도파로용 결합기.