광센서 모듈에 있어서,최하층에 배치되어, 센싱 대상물질을 포함하는 센싱 대상물질 층;상기 센싱 대상물질 층의 상부에 위치한 제1유전체 층;상기 제1유전체 층의 상부에 위치하며, 상기 제1유전체 층과 서로 다른 굴절률을 가지는 제2유전체 층; 및상기 제2유전체 층의 상부에 위치하며, 고굴절률을 가지는 제1격자와 저굴절률을 가지는 제2격자를 포함하는 고 대비 격자(High Contrast Grating(HCG)) 층을 포함하며,상기 제1격자는 상기 제2격자의 굴절률의 2배보다 큰 굴절률을 가지고,상기 광센서 모듈의 분해능은, 상기 제2유전체 층의 두께에 비례하며,상기 센싱 대상물질을 센싱하기 위한 광 신호는,외부 광원에서 출력되어, 상기 고 대비 격자 층에 의해 상기 제1유전체 층으로 집속되어 전달되며, 상기 센싱 대상물질의 굴절률에 기초하여 반사된 뒤, 상기 제1유전체 층, 상기 제2유전체 층, 상기 고 대비 격자 층을 통하여 상기 광센서 모듈의 외부로 출력되며, 집속된 상기 광 신호는 공진 조건을 만족하며, 상기 센싱 대상물질의 굴절률에 따라 위상이 달라지는, 광센서 모듈.

제1항에 있어서,상기 광센서 모듈은,상기 고 대비 격자층의 상부에 위치하는 유전체 기판을 더 포함하는, 광센서 모듈.

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제1항에 있어서,상기 고 대비 격자 층은,상기 제1격자와 상기 제2격자가 반복되는 패턴으로 구성되는, 광센서 모듈.

제1항에 있어서,상기 제2격자는,상기 제2유전체 층의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는, 광센서 모듈.

제1항에 있어서,상기 제1유전체 층은,상기 제2유전체 층의 상기 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는, 광센서 모듈.

제1항에 있어서,상기 고 대비 격자 층의 두께는,상기 광 센서 모듈의 폭에서 상기 제1격자가 차지하는 폭의 비율, 및 반사율 특성에 따라 결정되는, 광센서 모듈.

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제1항에 있어서,상기 제1유전체 층의 두께는,상기 광 신호의 위상 변화 스펙트럼 및 결정된 상기 제2유전체 층의 두께에 기초하여 결정되는, 광센서 모듈.

광센서 모듈;상기 광센서 모듈로 센싱 대상물질을 감지하기 위한 광 신호를 조사하는 광원;상기 광센서 모듈의 상기 센싱 대상물질의 굴절률에 기초하여 반사된 상기 광 신호를 검출하는 광 검출기; 및상기 광 검출기에 의해 검출되며, 상기 센싱 대상물질의 굴절률에 따라 위상이 달라지는 상기 광 신호의 위상에 기초하여 상기 센싱 대상물질을 감지하는 프로세서를 포함하며,상기 광센서 모듈은,상기 광센서 모듈의 최하층에 배치되어, 상기 센싱 대상물질을 포함하는 센싱 대상물질 층;상기 센싱 대상물질 층의 상부에 위치한 제1유전체 층;상기 제1유전체 층의 상부에 위치하며, 상기 제1유전체 층과 서로 다른 굴절률을 가지는 제2유전체 층; 및상기 제2유전체 층의 상부에 위치하며, 고굴절률을 가지는 제1격자와 저굴절률을 가지는 제2격자를 포함하는 고 대비 격자(High Contrast Grating(HCG)) 층을 포함하며, 상기 제1격자는 상기 제2격자의 굴절률의 2배보다 큰 굴절률을 가지고,상기 광센서 모듈의 분해능은, 상기 제2유전체 층의 두께에 비례하며,상기 센싱 대상물질을 센싱하기 위한 광 신호는,상기 광원에서 출력되어, 상기 고 대비 격자 층에 의해 상기 제1유전체 층으로 집속되어 전달되며, 상기 센싱 대상물질의 굴절률에 기초하여 반사된 뒤, 상기 제1유전체 층, 상기 제2유전체 층, 상기 고 대비 격자 층을 통하여 상기 광센서 모듈의 외부로 출력되며, 집속된 상기 광 신호는 공진 조건을 만족하는, 광센서 장치.

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