제 1항에 있어서,상기 양친매성 블록 공중합체는 스티렌 부타디엔 스티렌(SBS) 및/또는 스티렌 부타디엔 고무(SBR)를 포함하는 소수성 주쇄; 및 폴리에틸렌글리콜(PEG)을 포함하는 측쇄를 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드.

아연 금속; 및상기 아연 금속 상에 형성되며, 양친매성 블록 공중합체(amphiphilic block copolymer; ABP) 및 이온성 염을 포함하는 ABP 보호층을 포함하는, 아연 이차전지용 애노드로서,상기 양친매성 블록 공중합체는 소수성 주쇄 및 폴리알킬렌글리콜계 측쇄를 포함하는 것인,아연 이차전지용 애노드.

제 1항에 있어서,상기 소수성 주쇄는 스티렌 부타디엔 스티렌(SBS), 스티렌 부타디엔 고무(SBR), 폴리부타디엔(PB), 스티렌 에틸렌 부틸렌 스티렌(SEBS), 및 폴리에틸렌 (PE)에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드.

제 1항에 있어서,상기 폴리알킬렌글리콜계 측쇄는 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG), 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMEG), 및 폴리에틸렌글리콜메틸에테르메타아크릴레이트(POEM)에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드.

제 1항에 있어서,상기 양친매성 블록 공중합체는 하기 화학식 1로서 표시되는 것인, 아연 이차전지용 애노드:[화학식 1]상기 화학식 1에서,x1 및 x2는 각각 50 내지 150의 자연수이고,y1+y2는 1700 내지 1900의 자연수이며, y1은 1 내지 201의 자연수이고,n은 9 내지 19의 자연수임.

제 1항에 있어서,상기 이온성 염은 황산아연(ZnSO4), 황산아연 수화물(ZnSO4・xH2O), 질산아연(Zn(NO3)2), 질산아연 수화물(Zn(NO3)2・xH2O), 염화아연(ZnCl2), 염화아연 수화물(ZnCl2・xH2O), 아연 트리플루오로메탄설폰산염(Zn(OTf)2) 아연 트리플루오로메탄설폰산 수화물(Zn(OTF)2・xH2O), 아연 디비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드, 및 아연 디[비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드] 수화물(ZnTFSI・xH2O)에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드.

제 1항에 있어서,상기 ABP 보호층은 1 μm 내지 100 μm의 두께를 가지는 것인, 아연 이차전지용 애노드.

제 1항에 따른 아연 이차전지용 애노드;캐소드; 및전해질을 포함하는, 아연 이차전지.

제 8항에 있어서,상기 아연 이차전지는 수계 아연 이차전지인 것인, 아연 이차전지.

아연 금속; 및상기 아연 금속 상에 형성되며, 양친매성 블록 공중합체(amphiphilic block copolymer; ABP) 및 이온성 염을 포함하는 ABP 보호층을 포함하며,상기 양친매성 블록 공중합체는 소수성 주쇄 및 폴리알킬렌글리콜계 측쇄를 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드의 제조방법으로서,(a) 상기 양친매성 블록 공중합체, 상기 이온성 염 및 비극성 용매를 포함하는 혼합물을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합물로 상기 아연 금속 상에 상기 ABP 보호층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 비극성 용매를 제거하는 단계를 포함하는, 아연 이차전지용 애노드의 제조 방법.

제 10항에 있어서,상기 비극성 용매는 톨루엔, 헥세인, 및 벤젠에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 아연 이차전지용 애노드의 제조 방법.

제 10항에 있어서,상기 양친매성 블록 공중합체 및 비극성 용매의 질량비는 1:8 내지 1:10 인 것인, 아연 이차전지용 애노드의 제조 방법.

제 10항에 있어서,상기 양친매성 블록 공중합체 및 상기 이온성 염의 질량비는 9:1 내지 11:1 인 것인, 아연 이차전지용 애노드의 제조 방법.