하기 화학식 Ⅰ로서 표시되는 화합물, 하기 화학식 Ⅱ로서 표시되는 올리고머, 또는 하기 화학식 Ⅰ로서 표시되는 화합물을 말단에 포함하는 덴드리머; 및산화아연 나노입자를 포함하는, 유연 막으로서,하기 화학식 Ⅰ의 Rb의 할로겐화 이온과 상기 산화아연 나노입자의 Zn2+이 배위결합하여 상기 산화아연 나노입자가 응집되는 것인, 유연 막:[화학식 Ⅰ];[화학식 Ⅱ];상기 화학식 Ⅰ 및 상기 화학식 Ⅱ에서,R1은 수소 또는 -O-Ra-Rb이고,단, 4 개 이상의 R1은 -O-Ra-Rb이며,Ra는 C1-10의 알킬렌기이고,Rb는 할로겐화 암모늄염이며, 상기 암모늄염은 암모늄염(-NH3+), 질소를 하나 이상 포함하는, C1-20의 1차 알킬아민, 2차 알킬아민, 또는 3차 알킬아민, C3-10의 헤테로시클로알킬기, 또는 C3-10의 헤테로아릴기의 암모늄염이며, 상기 할로겐화 암모늄염에서 할로겐화 이온은 F-, Cl-, Br-, 또는 I-이고,R2는 , , , , , 또는 이고,m은 0 또는 1이고, n은 1 내지 10의 정수이고,파선은 연결 부분임.

제 1 항에 있어서,상기 Rb의 암모늄염은 암모늄염(-NH3+), 트리메틸암모늄염, 트리에틸암모늄염, 트리프로필암모늄염, 메틸암모늄염, 에틸암모늄염, 프로필암모늄염, 디메틸암모늄염, 에틸메틸암모늄염, 메틸프로필암모늄염, 디에틸암모늄염, 에틸프로필암모늄염, 디프로필암모늄염, 에틸디메틸암모늄염, 디메틸프로필암모늄염, 디에틸메틸암모늄염, 에틸메틸프로필암모늄염, 메틸디프로필암모늄염, 디에틸프로필암모늄염, 에틸디프로필암모늄염, 피리디늄염, 아지리디늄염, 아제티디늄염, 피롤리디늄염, 피페리디늄염, 아제파니움염, 아조케니움염, 및 이미다졸륨염에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 유연 막.

제 1 항에 있어서,상기 R1은 인 것인, 유연 막.

제 1 항에 있어서,상기 화학식 Ⅰ로서 표시되는 화합물은 하기 화학식 1로서 표시되는 다이페닐플루오렌 피리디늄 브로마이드인 것인, 유연 막:[화학식 1].

제 1 항에 있어서,상기 화학식 Ⅱ로서 표시되는 올리고머는 하기 화학식 2로서 표시되는 것인, 유연 막:[화학식 2];상기 화학식 2에서,R2는 , , , , , 또는 이고,m은 0 또는 1이고, n은 1 내지 10의 정수이고,파선은 연결 부분임.

제 1 항에 있어서,상기 덴드리머는 폴리에틸렌이민 (PEI), 폴리프로필렌이민 (PPI), 또는 폴리아미도아민 (PAMAM)의 덴드리머인 것인, 유연 막.

삭제

제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노입자의 직경은 1 nm 내지 100 nm인 것인, 유연 막.

제 1 항에 있어서,상기 유연 막의 두께는 1 nm 내지 1 μm인 것인, 유연 막.

제 1 항에 있어서,상기 유연 막은 100 nm 이하의 두께 범위에서, 굽힘 반경 2.5 mm에서 300 회 이상 굽혀도 균열이 발생하지 않는 것인, 유연 막.

제 1 항에 따른 유연 막을 전하 이동층으로서 포함하는, 유연 전자 소자.

제 11 항에 있어서,상기 유연 전자 소자는 유연 유기발광다이오드, 유연 태양전지, 유연 광센서, 페로브스카이트 발광다이오드, 유연 트랜지스터, 및 유연 화학센서에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 유연 전자 소자.