제1항에 있어서,상기 열간 정수압 소결 처리는,600 ℃ 내지 650℃의 온도에서 11000psi 내지 13000psi의 압력으로 처리하는 것을 포함하는 것인, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,방사성 폐기물에 고화보조재료를 투입하고 혼합하여 혼합 방사성 폐기물을 준비하는 단계(S10)는,상기 방사성 폐기물을 900 ℃ 내지 1000 ℃의 온도로 가열한 후 고화보조재료를 투입하는 것을 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 혼합 방사성 폐기물을 가압하여 1차 고화체를 형성하는 단계(S20)는,상기 혼합 방사성 폐기물을 상온의 온도에서 20 MPa 내지 40 MPa의 압력으로 가압하는 것을 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 1차 고화체 외부를 알루미늄으로 감싸 알루미늄 캡슐을 제조하는 단계(S30)는,상기 1차 고화체 외부를, 알루미늄을 660℃ 내지 900℃의 온도로 가열하여 용융시켜 도포시키는 단계(S35);상기 도포된 결과물을 냉각시켜 알루미늄 캡슐을 제조하는 단계(S36);를 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

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제7항에 있어서,상기 1차 고화체의 외부를 알루미늄으로 감싸서 알루미늄 캡슐을 형성하는 단계(S30)는,상기 1차 고화체의 외부를 포장재를 이용하여 포장하는 단계(S31)를 더 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 제거된 알루미늄은 알루미늄 캡슐을 제조하기 위해 재사용되는 것인, 방사성 폐기물의 고화 방법.

방사성 폐기물에 고화보조재료를 투입하고 혼합하여 혼합 방사성 폐기물을 준비하는 단계(S10);상기 혼합 방사성 폐기물을 가압하여 1차 고화체를 형성하는 단계(S20);상기 1차 고화체의 외부를 알루미늄으로 감싸서 알루미늄 캡슐을 형성하는 단계(S30);상기 알루미늄 캡슐을 열간 정수압 소결 처리(HIP: Hot Isostatic Pressing)를 가하는 단계(S40); 및열간 정수압 소결 처리가 가해진 알루미늄 캡슐로부터 알루미늄을 제거하여 2차 고화체를 얻는 단계(S50);를 포함하고,상기 열간 정수압 소결 처리가 가해진 알루미늄 캡슐로부터 알루미늄을 제거하여 2차 고화체를 얻는 단계(S50)는,상기 열간 정수압 소결 처리가 가해진 알루미늄 캡슐을 알루미늄은 녹으나 상기 1차 고화체는 녹지 않는 800℃ 내지 900℃의 온도에서 가열하여 알루미늄을 제거하는 것을 포함하는 것인, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 방사성 폐기물은 금속 산화물 슬러지, 및 시멘트 슬러지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 고화보조재료는 유리, 세라믹, 및 도자기 유약 유리질 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 방사성 폐기물의 고화 방법.

제1항에 있어서,상기 고화보조재료는, 고화보조재료가 투입된 방사성 폐기물의 100중량%를 기준으로 하여, 5중량% 내지 10중량%의 함량으로 포함된, 방사성 폐기물의 고화 방법.