| 번호 | 청구항 |
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| 14 | 복수의 홀을 포함하는 태양전지를 제공하는 단계;상기 태양전지의 일 표면에 광학 필름을 제공하는 단계;상기 복수의 홀 상에 위치하는 광학 필름을 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 홀 상에 위치하는 광학 필름을 제거하는 단계는 진공 챔버에서 홀을 석션하는 단계를 포함하고,상기 복수의 홀들은 상기 태양전지 및 광학 필름을 동시에 관통하도록 연장되고,상기 광학 필름은 700nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하는, 태양전지의 제조 방법. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 복수의 홀들 각각은 원기둥 형상을 가지며, 상기 복수의 홀들 각각의 지름은 1㎛ 내지 1㎜로 형성되는 태양전지의 제조 방법. |
| 16 | 제14항에 있어서,상기 태양전지 상에 광학 필름을 제공하는 단계는 태양전지의 일 표면에 열경화성 수지를 도포하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조 방법. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 열경화성 수지의 표면을 textured mold로 프레스하여 표면 처리하는 단계를 더 포함하는, 태양전지의 제조 방법. |
| 18 | 제14항에 있어서,상기 복수의 홀을 포함하는 태양전지를 제공하는 단계는:서로 반대면인 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1 면과 제2 면에 각각 제1 층과 제2 층을 형성하는 단계;상기 제1 층, 상기 결정질 실리콘 반도체 기판, 및 상기 제2 층을 관통하는 복수의 홀들을 형성하는 단계; 및상기 제1 층 상에 상기 제1 층과 접속하는 제1 전극부와, 상기 제2 층 상에 상기 제2 층과 접속하는 제2 전극부를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 층은 상기 결정질 실리콘 반도체 기판과 P-N 접합을 형성하며,상기 복수의 홀들은 상기 제1층, 상기 제2 층, 및 상기 제2 전극부를 동시에 관통하도록 연장되는, 태양전지의 제조 방법. |
| 19 | 제18항에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하기 전, 상기 제1 층 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극부는 상기 반사방지막을 관통하여 상기 제1 층과 접속하는 태양전지의 제조 방법. |
| 20 | 제18항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1 층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하고, 상기 제2 층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하는 태양전지의 제조 방법. |
| 21 | 제18항에 있어서,상기 제1 전극부는 상기 복수의 홀들 사이에 위치하는 마이크로 그리드 패턴을 가지도록 형성되는 태양전지의 제조 방법. |
| 22 | 제18항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 N타입 반도체 기판이고, 상기 제1 층은 상기 제1 면 상에 정공 수송 물질을 증착하여 형성하고, 상기상기 제2 층은 상기 제2 면 상에 전자 수송 물질을 증착하여 형성하는 태양전지의 제조 방법. |
