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복합 유연전극 구조체에 있어서,결정질 금속층; 및상기 결정질 금속층 상에 위치한 비정질 금속층;을 포함하고, 상기 결정질 금속층과 상기 비정질 금속층은 복수회로 서로 교번하여 위치하고,상기 결정질 금속층의 전체 두께(a)와 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)를 합한 전체 두께(a+b)에 대하여 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)의 비율(b/(a+b))은 10% 내지 40% 범위이고,상기 결정질 금속층은 구리(Cu)이고,상기 비정질 금속층은 CuZrTi이고,상기 결정질 금속층 및 상기 비정질 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 각각 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 8 S/μm 내지 15 S/μm 범위의 전기전도도를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 2.0% 내지 3.5% 범위의 탄성 변형 한계를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 5.0% 내지 6.5% 범위의 파괴 변형율을 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 0% 초과 내지 2.5% 범위의 반복 신축변형을 1회 내지 10000회의 싸이클로 인가한 경우에, 저항 변화율이 0.9 내지 1.2 범위인, 복합 유연전극 구조체.

청구항 1에 있어서,상기 결정질 금속층 또는 상기 비정질 금속층 중 어느 하나는, 유연하거나 신축성 있는 물질들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 상에 위치한, 복합 유연전극 구조체.

청구항 3에 있어서,상기 기판은, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리 메틸 실록산, 폴리 디메틸실록산, 및 나노 셀룰로오스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 상에 위치한, 복합 유연전극 구조체.

청구항 3에 있어서,상기 기판 상에 상기 결정질 금속층 및 상기 비정질 금속층이 순차적으로 위치하거나, 상기 기판 상에 상기 비정질 금속층 및 상기 결정질 금속층이 순차적으로 위치한, 복합 유연전극 구조체.

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복합 유연전극 구조체의 제조방법에 있어서,각각 물리기상증착법을 이용하여 결정질 금속층 및 비정질 금속층을 교번하여 복수회 적층하는 단계를 포함하고,상기 결정질 금속층의 전체 두께(a)와 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)를 합한 전체 두께(a+b)에 대하여 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)의 비율(b/(a+b))은 10% 내지 40% 범위이고,상기 결정질 금속층은 구리(Cu)이고,상기 비정질 금속층은 CuZrTi이고,상기 결정질 금속층 및 상기 비정질 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 각각 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 8 S/μm 내지 15 S/μm 범위의 전기전도도를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 2.0% 내지 3.5% 범위의 탄성 변형 한계를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 5.0% 내지 6.5% 범위의 파괴 변형율을 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 0% 초과 내지 2.5% 범위의 반복 신축변형을 1회 내지 10000회의 싸이클로 인가한 경우에, 저항 변화율이 0.9 내지 1.2 범위인,,복합 유연전극 구조체의 제조방법.

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청구항 13에 있어서,상기 물리기상증착법은 스퍼터링 방법 또는 증발법을 포함하는, 복합 유연전극 구조체의 제조방법.

소자부; 및 상기 소자부와 전기적으로 연결된 복합 유연전극 구조체를 포함하고,상기 복합 유연전극 구조체는,결정질 금속층; 및상기 결정질 금속층 상에 위치한 비정질 금속층;을 포함하고, 상기 결정질 금속층과 상기 비정질 금속층은 복수회로 서로 교번하여 위치하고,상기 결정질 금속층의 전체 두께(a)와 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)를 합한 전체 두께(a+b)에 대하여 상기 비정질 금속층의 전체 두께(b)의 비율(b/(a+b))은 10% 내지 40% 범위이고,상기 결정질 금속층은 구리(Cu)이고,상기 비정질 금속층은 CuZrTi이고,상기 결정질 금속층 및 상기 비정질 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 각각 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 8 S/μm 내지 15 S/μm 범위의 전기전도도를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 2.0% 내지 3.5% 범위의 탄성 변형 한계를 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 5.0% 내지 6.5% 범위의 파괴 변형율을 가지고,상기 복합 유연전극 구조체는 0% 초과 내지 2.5% 범위의 반복 신축변형을 1회 내지 10000회의 싸이클로 인가한 경우에, 저항 변화율이 0.9 내지 1.2 범위인,,플렉서블 전자 장치.