| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 13 | 삭제 |
| 1 | 복수의 홈부를 포함한 제1 면 및 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 포함하는 결정질 실리콘 기판;상기 제1 면 상에 위치하고, 상기 결정질 실리콘 기판과 P-N 접합을 이루는 제1층;상기 복수의 홈부에 제공되고, 상기 제1 층과 접속된 제1 전극부;상기 제1 전극부 상에 제공된 부식방지부;상기 결정질 실리콘 기판의 제2 면 상에 위치하는 제2 층; 및상기 제2 층 상에 위치하고, 상기 제2 층과 접속된 제2 전극부; 을 포함하는 태양전지로서,상기 태양전지의 수광면에 광흡수층을 더 포함하고;상기 제1 전극부 및 부식방지부의 높이의 합이 상기 홈부의 깊이와 같고,상기 제1 전극부는 상기 홈부에 매립된 매립형 전극이고,상기 제1 전극부는 상기 제1 층의 내주면 및 부식방지부에 의하여 완전히 둘러싸인, 태양전지. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 제1 전극부는 상기 홈부에 제공된 제1 층의 내주면과 접촉하도록 배치된, 태양전지. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 제1 전극부의 높이는 상기 홈부의 깊이 이하인, 태양전지. |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 제1 전극부는 Al, Ag, Pd, Cu, Au 또는 이들의 조합을 포함하는, 태양전지. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 부식방지부는 Ni, Al/Cu 합금, Cr, Zn 또는 이들의 조합을 포함하는, 태양전지. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 제1 전극부의 높이는 100nm 내지 10㎛ 인, 태양전지. |
| 10 | 제1항에 있어서,상기 부식방지부의 높이는 100nm 내지 1㎛ 인, 태양전지. |
| 11 | 제1항에 있어서,상기 제1 층 상에 보호막을 더 포함하고,상기 보호막은 무기산화물을 포함하는, 태양전지. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 보호막 상에 반사방지막을 더 포함하고,상기 반사방지막은 금속, 준금속 및 전이금속 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 산화물, 질화물, 할로겐화물 또는 칼코겐화물을 포함한, 태양전지. |
| 14 | 제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1 층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 에미터층이고, 상기 제2 층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 후면 전계층인 태양전지. |
| 15 | 제1 면 및 상기 제1 면의 반대측에 제2 면을 갖는 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판의 제1 면에 홈부를 제공하는 단계;상기 제1 면 및 상기 제2 면 각각에 제1 층 및 제2 층을 형성하는 단계;상기 홈부의 내주면에 제공된 제1 층 상에 제1 전극부를 형성하는 단계;상기 제1 전극부 상에 부식방지부를 형성하는 단계; 및상기 제2 층 상에 제 2층과 접속하는 제 2 전극부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 층은 상기 결정질 실리콘 기판과 P-N 접합을 형성하고,수광면 측의 최외곽면에 광흡수층을 더 포함하고,상기 제1 전극부 및 부식방지부의 높이의 합이 상기 홈부의 깊이와 같고상기 제1 전극부는 상기 홈부에 매립된 매립형 전극이고,상기 제1 전극부는 상기 제1 층의 내주면 및 부식방지부에 의하여 완전히 둘러싸인, 태양전지의 제조 방법. |
| 16 | 삭제 |
| 17 | 삭제 |
| 18 | 제15항에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하기 전에, 상기 제1 층 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 반사방지막을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 태양전지의 제조 방법. |
| 19 | 제18항에 있어서,상기 홈부를 제외한 반사방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 홈부의 내주면에 형성된 보호막 및 반사방지막을 제거하여 상기 홈부 중의 제1 층을 외부로 노출시키는 단계;를 더 포함하는, 태양전지의 제조 방법. |
| 20 | 제19항에 있어서,상기 부식방지부를 형성하는 단계 이후에, 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 태양전지의 제조 방법. |
