무색 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법
A colorless transparent crystalline silicon substrate, and method of preparing the same
특허 요약
제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법이 제공된다.
청구항
번호청구항
1

제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀의 전체 면적이 상기 반도체 기판 면적의 5% 내지 60%이고, 상기 관통홀은 일정한 간격으로 서로 이격되어 배치되고, 상기 관통홀들의 간격(S1)은 하기 수학식 2로 계산되며,003c#수학식 2003e# 여기서, L은 기판과 관측자의 거리이고,상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는, 투명 반도체 기판.

2

제1항에 있어서,상기 관통홀의 직경은 제1면에서부터 제2면까지 증가하는, 투명 반도체 기판.

3

제1항에 있어서,상기 관통홀의 길이방향의 단면은 사다리꼴 형상인, 투명 반도체 기판.

4

제1항에 있어서,상기 경사부가 상기 제1면에 대하여 예각을 이루도록 구성된, 투명 반도체 기판.

5

제1항에 있어서,상기 제1면에서 상기 관통홀의 직경은 1 um 이상인, 투명 반도체 기판.

6

제1항에 있어서,상기 제1면에서 상기 관통홀의 직경은 하기 수학식 1로 계산되는 헤이즈 값이 1% 미만이 되도록 정의되는, 투명 반도체 기판:003c#수학식 1003e#여기서, Td는 확산 투과율이고, Tt는 총 투과율이다.

7

삭제

8

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 광-반사층을 더 포함하는, 투명 반도체 기판.

9

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 상기 제1면, 상기 경사부, 및 상기 제2면 상에 배치된 광-반사층을 더 포함하는, 투명 반도체 기판.

10

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 광-반사방지층을 더 포함하는, 투명 반도체 기판.

11

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 상기 제1면, 상기 경사부, 및 상기 제2면 상에 배치된,광-반사방지층을 더 포함하는, 투명 반도체 기판.

12

제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 결정질 실리콘(c-Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 갈륨비소인(GaAsP), 비정질 실리콘(a-Si), 또는 이들의 조합을 포함하는, 투명 반도체 기판.

13

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 제1면, 제2면 및 경사부 상에 배치된 부동화층(passivation layer)을 더 포함한, 투명 반도체 기판.

14

제1항에 있어서,상기 투명 반도체 기판은 상기 반도체 기판의 제1면, 제2면 및 경사부와 직접 접촉하도록 배치된 부동화층을 더 포함하는, 투명 반도체 기판

15

제13항에 있어서,상기 부동화층은 금속, 전이금속, 및 준금속 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 산화물, 탄화물 또는 질화물을 포함하는, 투명 반도체 기판.

16

제1면 및 상기 제1면에 반대측에 위치한 제2면을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 및상기 반도체 기판에 복수의 관통홀을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 관통홀의 전체 면적이 상기 반도체 기판 면적의 5% 내지 60%이고, 상기 관통홀은 일정한 간격으로 서로 이격되어 배치되고, 상기 관통홀들의 간격(S1)은 하기 수학식 2로 계산되며,003c#수학식 2003e# 여기서, L은 기판과 관측자의 거리이고,상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는, 투명 반도체 기판의 제조방법.

17

삭제

18

제16항에 있어서,상기 경사부는 제1면에 대하여 예각을 형성하도록 형성되는, 투명 반도체 기판의 제조방법.

19

제16항에 있어서,상기 관통홀을 형성하는 단계 이후에, 부동화층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 투명 반도체 기판의 제조방법.

20

제19항에 있어서,상기 부동화층을 형성하는 단계 이후에, 광-반사방지층 또는 광-반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 투명 반도체 기판의 제조방법.

21

제1항 내지 제6항 및 제8항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 투명 반도체 기판을 포함하는 전자장치.

22

제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고,상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하고,상기 관통홀은 제1경사부 및 제2경사부를 포함하고, 상기 제1경사부는 제1면에 대하여 θ1의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 제2 경사부는 제1면에 대하여 θ2의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 θ1 및 θ2는 동일한, 투명 반도체 기판.

23

제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고,상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하고,상기 관통홀은 제1경사부 및 제2경사부를 포함하고, 상기 제1경사부는 제1면에 대하여 θ1의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 제2 경사부는 제1면에 대하여 θ2의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 θ1 003e# θ2인, 투명 반도체 기판.

24

제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고,상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하고,상기 관통홀은 제1경사부 및 제2경사부를 포함하고, 상기 제1경사부는 제1면에 대하여 θ1의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 제2 경사부는 제1면에 대하여 θ2의 예각을 형성하도록 구성되고, 상기 θ1 003c# θ2인, 투명 반도체 기판.