하기의 [화학식 1]로 표시되는 이리듐 복합체; 및 고분자;를 포함하는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은, PEO, PMMA 및 PEG를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자;를 더 포함하는 것인,실리콘 태양전지.[화학식 1] (여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)

제1항에 있어서,상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지.(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)

제1항에 있어서,상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지.(여기서, A 는 할로겐 원자 또는 H이며, B는 하이드록시기 또는 H이다.)

제3항에 있어서,상기 A는, 플루오르(F)인 것인, 실리콘 태양전지.

제1항에 있어서,상기 이리듐 복합체는 양친성인 것인,실리콘 태양전지.

제1항에 있어서,상기 이리듐 복합체는, 빨강, 주황, 녹색 및 파랑으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 색의 빛을 방출하는 것인,실리콘 태양전지.

삭제

제1항에 있어서,상기 코팅층 내의 상기 이리듐 복합체와 상기 고분자의 혼합 중량비(이리듐 복합체 중량 : 고분자 중량)는 1 : 0.5 내지 1 : 2.0 인 것인,실리콘 태양전지.

제1항에 있어서,상기 코팅층의 두께는 0.05 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 인 것인,실리콘 태양전지.

실리콘 태양 전지를 준비하는 단계;상기 실리콘 태양 전지 상에 이리듐 복합체를 포함하는 코팅 용액으로 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층이 형성된 실리콘 태양 전지를 건조하는 단계;를 포함하고,상기 코팅 용액은, PEO, PMMA 및 PEG 를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 더 포함하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 이리듐 복합체는 하기의 [화학식 1]으로 표시되는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법. [화학식 1] (여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)

제11항에 있어서,상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조방법.(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)

제11항에 있어서,상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조방법.(여기서, A 는 할로겐 원자 또는 H이며, B는 하이드록시기 또는 H이다.)

제10항에 있어서, 상기 코팅 용액의 상기 이리듐 복합체의 농도는, 0.05 mg / ml 내지 1.0 mg / ml 인 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 코팅층을 형성하는 단계는, 상기 코팅 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 코팅층을 형성하는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.

제15항에 있어서,상기 스프레이 방식은, 초음파 분사노즐을 이용하는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.

제15항에 있어서,상기 코팅 용액은, 0.05 ml / min 내지 0.2 ml / min 속도로 분사되는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.

제15항에 있어서, 상기 코팅층을 형성하는 단계는, 질소 가스 또는 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.

삭제

제11항에 있어서,상기 건조하는 단계는, 80 ℃ 내지 140 ℃ 온도에서 10 분 내지 30 분 동안 수행되는 것인,실리콘 태양전지의 제조방법.