제1항에 있어서, 상기 기판, 상기 밀봉 캡 및 상기 접착층에 의하여 둘러싸이는 공간에 위치하는 불활성 기체를 더 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 접착층 사이에 위치하는 절연층을 더 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 회로는 외부의 전기 신호를 상기 회로에 전달하는 복수의 접속선들을 포함하는 밀봉 패키지.

제4항에 있어서, 상기 복수의 접속선들은 금속 실리사이드를 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드의 금속은 구리(Cu), 백금(Pt), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 탄탈륨(Ta) 중에서 선택된 어느 하나의 금속을 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 접착층은 낮은 계면 응력을 가지는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는 니켈 실리사이드를 포함하는 밀봉 패키지.

회로가 일면에 배치되어 있는 기판; 상기 기판 위에 위치하며, 상기 회로를 밀봉하는 밀봉 캡; 및 상기 기판과 상기 밀봉 캡 사이에 위치하며, 상기 기판과 상기 밀봉 캡을 접착시키는 접착층-상기 접착층은 금속 실리사이드를 포함함- 을 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 회로는 상기 기판의 상기 일면에 집적된 집적회로를 포함하는 밀봉 패키지.

제1항에 있어서, 상기 회로는 상기 기판 위에 장착되는 집적회로 칩 또는 멤스(MEMS) 장치를 포함하는 밀봉 패키지.

회로가 일면에 배치되어 있는 기판을 준비하는 공정; 및 금속 실리사이드를 포함하는 접착층을 사용하여 상기 기판과 밀봉 캡을 접착시킴으로써, 상기 회로를 상기 밀봉 캡으로 밀봉하는 공정 을 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 회로는 외부의 전기 신호를 상기 회로에 전달하는 복수의 접속선들을 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 접착층은 낮은 계면 응력을 가지는 밀봉 패키지 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 기판 및 상기 밀봉 캡의 재료는 각각 실리콘 및 유리를 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제14항에 있어서, 상기 밀봉하는 공정은 상기 접착층이 형성되는 상기 기판 부분과 상기 밀봉 캡 부분 사이에 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 금속층을 열처리하여 상기 금속 실리사이드를 포함하는 상기 접착층을 형성함으로써 상기 회로를 상기 밀봉 캡으로 밀봉하는 공정 을 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 밀봉하는 공정은 상기 접착층이 형성되는 상기 기판 부분 또는 상기 밀봉 캡 부분 중 어느 한 부분에 금속층을 형성하고, 나머지 어느 한 부분에 실리콘층을 형성하는 공정; 상기 금속층 및 상기 실리콘층을 접촉시키는 공정; 및 상기 금속층 및 상기 실리콘층을 열처리하여 상기 금속 실리사이드를 포함하는 상기 접착층을 형성함으로써 상기 회로를 상기 밀봉 캡으로 밀봉하는 공정 을 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제16항에 있어서, 상기 실리콘층은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 중 어느 하나를 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제16항에 있어서, 상기 금속층 및 실리콘층을 형성하는 공정 이전에 수행되며, 상기 기판 위에 절연층을 형성하는 공정을 더 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.

제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 금속층의 상기 열처리 온도는 100oC 이상 400oC이하를 포함하는 밀봉 패키지 제조 방법.