| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 친수성의 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 분자 간의 정전기적 인력을 이용하여 다층의 하부 고분자 전해질막을 형성하는 단계; 및상기 하부 고분자 전해질막 상에 도전성 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계를 포함하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 다층의 상부 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 하부 전해질막은 PAH(poly(allylaminehydrochloride))와 PSS(poly(sodium, styrene sulfonate))가 연속하여 적층된 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크를 형성하기 전에 탄소나노튜브를 전처리 과정에서 카르복실기 및 히드록시기로 기능화시키고, 수용액 속에서 수소 이온을 탈착시켜 음전하를 갖게하여, 최상층이 양전하인 고분자 전해질막과 정전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 기판 상에 절연막을 적층하는 단계;기판 하부를 절연막이 노출될 때까지 선택적으로 식각하여 개구부를 형성하는 단계;상기 절연막 상에 분자간의 정전기력을 이용하여 하부 고분자 전해질막 및 도전성 탄소나노튜브 네트워크로 이루어진 도전성 나노박막을 형성하는 단계;상기 노출된 절연막을 제거하여 도전성 나노박막 멤브레인을 형성하는 단계; 및상기 도전성 나노박막 상에 일정 간격을 두고 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법. |
| 8 | 제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법. |
| 9 | 제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 상부 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법. |
| 10 | 제 7 항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 정전기력을 이용하여 PAH(poly(allylaminehydrochloride))와 PSS(poly(sodium, styrene sulfonate))를 연속하여 적층하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법. |
| 11 | 개구부가 형성된 기판;상기 기판 상에 하부 고분자 전해질막 및 탄소나노튜브 네트워크로 구성되는 다층 나노박막; 및상기 다층 나노박막 상에 일정 간격을 두고 형성된 상부전극을 포함하는 미세전기기계시스템 센서. |
