| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되는 유전층;상기 유전층 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되고, 산소 공공(oxygen vacancy)을 포함하는 전하 트랩층; 및상기 전하 트랩층 상에 배치되고 상호 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 전하 트랩층의 산소 공공은 XPS 측정 시 피크 정량치가 25.7 %이고,상기 전하 트랩층은 4 nm의 두께를 가지고,히스테리시스 윈도우(hysteresis window)가 1.2 V 이상인 시냅스 소자. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 채널층은 InGaZnO(IGZO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 전하 트랩층은 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자. |
| 4 | 유전층을 포함하는 게이트 전극을 준비하는 단계;상기 유전층 상에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층 상에 스퍼터링 공법으로 4 nm의 두께의 전하 트랩층을 형성하는 단계; 및상기 전하 트랩층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전하 트랩층의 산소 공공은 XPS 측정 시 피크 정량치가 25.7 %이고,히스테리시스 윈도우(hysteresis window)가 1.2 V 이상인 시냅스 소자의 제조 방법. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는,상기 유전층 상에 IGZO를 코팅하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자의 제조 방법. |
| 6 | 제4항에 있어서,상기 전하 트랩층을 형성하는 단계는, 4 nm의 두께의 TiO2를 증착하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자의 제조 방법. |
