| 번호 | 청구항 |
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| 8 | 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 원자 증착법으로 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층 상에 졸-겔 공법으로 IGZO(In-Ga-Zn-O) 산화물을 포함하는 IGZO 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층 상에 이베퍼레이터를 통해 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및HfO2 박막층을 형성 후, 200℃에서 30분 동안 어닐링 과정을 수행하는 단계;를 포함하며,상기 유전층은 SiO2를 40 |
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| 10 | 제8항에 있어서,상기 IGZO 채널층은 In 전구체: Ga 전구체: Zn 전구체가 10 : 1: 2의 질량비로 혼합하여 용해된 IGZO 용액을 제조하고, 챔버 내 분위기를 질소가스(N2)로 유지하면서 상기 IGZO 용액을 2500 |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 In 전구체는 질산 인듐 수화물(Indium nitrate hydrate)이고, 상기 Ga 전구체는 질산 갈륨 수화물(Gallium nitrate hydrate)이며, 상기 Zn 전구체는 질산아연(Zinc nitrate)인 것을 특징으로 하는, HfO2/IGZO 산화물 이중층 기반의 광 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법. |
| 12 | 제10항에 있어서,상기 IGZO 채널층은 10~15nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, HfO2/IGZO 산화물 이중층 기반의 광 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법. |
| 13 | 제8항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 열 증발기를 이용하여 40~60nm 두께의 알루미늄(Al) 전극을 증착시키는 것을 특징으로 하는, HfO2/IGZO 산화물 이중층 기반의 광 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법. |
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