한 쌍의 전극; 및상기 전극 사이에 구비되는 전자 운송층 및 MAPbI3 박막의 적층 구조를 포함하며,온도차이로 발생한 전압차이와 순수히 빛에 의해 여기된 여기자에 의해 형성된 전압차이를 이용하는 열전소자.

제1항에 있어서, 상기 전자 운송층은 ZnO 층인 것을 특징으로 하는 열전소자.

제1항에 있어서, 상기 적층 구조의 두께는 300~400nm인 것을 특징으로 하는 열전소자.

제1항에 있어서, 정공의 Transporting layer 또는 bocking layer를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자.

한 쌍의 전극; 및상기 전극 사이에 구비되는 전자 운송층 및 MAPbI3 박막의 적층 구조를 포함하는 열전소자를 제조하고,상기 전극 사이에 온도차를 발생시키고 상기 MAPbI3 박막에 빛을 쬐어, 상기 전자 운송층을 통해 carrier concentration을 증가시키고,온도차이로 발생한 전압차이와 순수히 빛에 의해 여기된 여기자에 의해 형성된 전압차이를 이용하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 MAPbI3 박막은 solution process로 형성하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 전자 운송층은 ZnO 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 적층 구조의 두께는 300~400nm로 하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법.

제5항에 있어서, 정공의 Transporting layer 또는 bocking layer를 더 포함하게 하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법.