| 번호 | 청구항 |
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| 4 | 제1항에 있어서,상기 염화나트륨은 10 내지 20 ㎛의 크기로 밀링된 것이며, 상기 육가형 질화붕소는 1 내지 5 ㎛으로 밀링된 것임을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체의 제조방법. |
| 1 | 염화나트륨, 육각형 질화붕소(h-BN), 제1 수지 및 제1 경화제를 혼합하여 제1 구형 복합체를 형성하는 단계;상기 염화나트륨을 용해하여 상기 제1 구형 복합체의 내부에 중공이 형성된 제2 구형 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 구형 복합체에 환원 산화그래핀(r-GO), 제2 수지 및 제2 경화제를 혼합하여 상기 제2 구형 복합체 표면이 상기 환원 산화그래핀으로 둘러싸인 제3 구형 복합체를 준비하는 단계를 포함하는,고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체의 제조방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 제1 수지 및 제2 수지는 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체의 제조방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 제2 경화제 및 제2 경화제는 폴리아민계 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체의 제조방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 제3 구형 복합체의 표면에 제1 수지 또는 제2 수지를 매개로 육각형 질화붕소를 추가로 둘러싸는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체의 제조방법. |
| 6 | 제5항에 있어서,상기 둘러싸인 육가형 질화붕소 표면에 상기 제1 수지 또는 제2 수지를 매개로 환원 산화그래핀을 추가로 둘러싸는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 중공 복합체의 제조방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 제1 수지 및 제2 수지는 이종의 수지인 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 중공 복합체의 제조방법. |
| 8 | 염화나트륨, 육각형 질화붕소(h-BN), 제1 수지 및 제1 경화제를 혼합하여 제1 구형 복합체를 형성하는 단계;상기 염화나트륨을 용해하여 상기 제1 구형 복합체의 내부에 중공이 형성된 제2 구형 복합체를 형성하는 단계;상기 제2 구형 복합체에 환원 산화그래핀(r-GO), 제2 수지 및 제2 경화제를 혼합하여 상기 제2 구형 복합체 표면이 상기 환원 산화그래핀으로 둘러싸인 제3 구형 복합체를 준비하는 단계; 및준비된 제3 구형 복합체들을 열간압착하는 단계를 포함하는,고열전도성 복합재의 제조방법. |
| 9 | 내부에 형성된 중공;육각형 질화붕소들로 이루어진 제1 구형 구조층;상기 제1 구형 구조층 상에 형성된 환원 산화그래핀들로 이루어진 제2 구형 구조층; 및상기 제1 구형 구조층 및 제2 구형 구조층 사이에 게재된 에폭시 수지층을 포함하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 제2 구형 구조층 상에 반복 형성된 제1 구형 구조층 및 제 2 구형 구조층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체. |
| 11 | 제9항 또는 제10항의 고열전도성 복합재 제조용 구형 중공 복합체를 열간압착하여 형성되고,열간압착에 의하여 수직방향으로 정렬된 질화붕소를 포함하는,고열전도성 복합재. |