제 1 항에 있어서, 상기 카본나노튜브 전극은 질산에 의해 p-도핑된, 포토디텍터.

카본나노튜브 전극;상기 카본나노튜브 전극 상에 배치된 전자 차단층;상기 전자 차단층 상에 배치된 광 반응층;상기 광 반응층 상에 배치된 정공 차단층;상기 정공 차단층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 카본나노튜브 전극은 기판 및 상기 기판 상에 배치되며, 카본나노튜브를 포함하는 박막층을 포함하고,상기 카본나노튜브 전극은 상기 카본나노튜브의 패킹 밀도의 조절을 통해 380 내지 780nm의 파장에서 평균 투과율이 87내지 93%로 조절되는,포토디텍터.

제 1 항에 있어서, 상기 포토디텍터는 유연 구조인,포토디텍터.

제 1 항에 있어서,상기 카본나노튜브 전극은 트랩 밀도(trap density)가 1.00 x 1010 내지 1.00 x 1017cm-3로 조절되는,포토디텍터.

제 1 항에 있어서,상기 카본나노튜브 전극은 일함수가 4.80 내지 5.60 eV 으로 조절되는, 포토디텍터.

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 기판이고, 상기 카본나노튜브를 포함하는 박막층은 상기 기판 상에 증착되는, 포토디텍터.

제 1 항에 있어서, 광 반응층으로 풀러렌 유도체 및 PBDTTT-EFT(Poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2-ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-)-2-carboxylate-2-6-diyl)])을 포함하는, 포토디텍터.

제 1 항에 있어서,전자 차단층으로 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenediocy-thiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid))를 포함하는,포토디텍터.

제 1 항에 있어서, 정공 차단층으로 폴리에틸렌 이민(polyethyleneimine, PEI)을 포함하는,포토디텍터.

제 7 항에 있어서, 상기 카본나노튜브 전극 상의 광반응층 억셉터(acceptor)의 루모(LUMO) 에너지가 4.40 내지 4.80eV으로 조절되는, 포토디텍터.

제 1 항의 포토디텍터를 제조하는 방법에 있어서,카본나노튜브 필름을 화학기상증착법(CVD)로 제작하는 단계;상기 카본나노튜브 필름을 기판 상에 증착한 다음 질산으로 p-도핑하는 단계;상기 p-도핑된 필름 상에 광 반응층 조성물로서 벌크 이종 접합(BHJ) 용액을 도포하는 단계;상기 광 반응층 조성물이 도포된 필름 상에 전하차단층 조성물을 도포하는 단계; 및상기 전하차단층 조성물이 도포된 필름 상에 음극을 증착하는 단계를 포함하는, 포토디텍터 제조방법.