비정질 탄화수소 박막의 패시베이션에 의한 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
Method for Enhancement of Charge Mobility by Passivation Using Amorphous Hydrocarbon Thin Films
특허 요약
본 발명은 전극 또는 박막트랜지스터와 같이 전하가 이동하는 전하 채널층을 포함하는 구조에서, 전하 채널층의 전하이동도를 향상시키는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체를 비정질 탄화수소 박막으로 패시베이션 하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법에 관한 것이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 전계유도 박막트랜지스터의 전하 채널층 표면 중 일부 또는 전체에 비정질 탄화수소 박막으로 이루어진 유전상수가 10 이상인 고유전막으로 패시베이션층을 형성하며, 상기 패시베이션층이 게이트 유전막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막이 채널층의 표면에 직접 성장되거나 또는 비정질 탄화수소 박막을 채널층의 표면에 전사되는 것에 의해 패시베이션되는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법. |
| 3 | 제 2 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막의 두께는 단일 원자층 두께 ~ 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 채널층은 실리콘, 금속산화물 반도체, 유기 반도체 또는 그래핀으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법. |
