반도체 물질층;금속 물질층; 및상기 반도체 물질층과 상기 금속 물질층의 계면에 형성되며 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소로 이루어진 초박막층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 1에 있어서,상기 비정질 불소화 탄소 박막은 비정질 탄소 박막의 댕글링 본드에 포획된 수소를 함께 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 1에 있어서,상기 초박막층은,상기 반도체 물질층과 상기 금속 물질층 사이의 페르미 레벨 고정 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 1에 있어서,상기 초박막층은,상기 반도체 물질층의 댕글링 본드를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 초박막층은,등가 산화막 두께 0.1 nm, 인가 전압 1V 기준의 누설전류가 10 A/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 5에 있어서,상기 초박막층은,등가 산화막 두께 0.1 nm 기준의 절연강도가 10 MV/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 구조물.

청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 반도체 구조물의 제조방법으로,상기 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소로 이루어진 초박막층은,(A) 반도체 물질로 이루어진 기판 또는 반도체 물질층이 형성된 기판을 플라즈마 반응기 내에 위치시키는 단계; (B) 상기 반응기 내에 불화탄소 가스를 포함하는 제1가스 및 비활성 가스를 포함하는 제2가스를 주입하는 단계; 및(C) 상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하며,이때 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하여 유전상수가 10 이상인 비정질 박막이 성장되도록 하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조방법.

소스/드레인 영역과 상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물을 포함하는 반도체 소자에 있어서,소스/드레인 영역과 컨택구조물의 사이에 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 초박막층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.

청구항 8에 있어서,상기 초박막층은,상기 소스/드레인 영역을 구성하는 물질과 상기 컨택 구조물을 구성하는 물질 사이의 페르미 레벨 고정 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.

청구항 8에 있어서,상기 초박막층은,상기 소스/드레인 영역을 구성하는 물질의 댕글링 본드를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.

청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,기판;상기 기판에 서로 마주보며 배치되는 소스/드레인 영역;상기 기판 상에 배치되어 전계를 인가하는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 개재되는 게이트 유전막; 및상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.

청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,기판;기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 기판 상에서 상기 핀형 활성 영역과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 게이트 전극과 게이트 유전막을 포함하는 게이트 구조물;상기 게이트 구조물의 양측에 배치되는 소스/드레인 영역; 및상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.

청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,기판;기판으로부터 돌출되고 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 핀형 활성 영역의 상면으로부터 서로 이격되어 배치되며 채널 영역을 가지는 복수의 반도체 패턴;상기 복수의 반도체 패턴을 둘러싸며 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 반도체 패턴의 최상부에 배치되며 상기 제2 방향으로 연장되는 메인 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 서브 게이트 전극을 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 게이트 유전막;상기 메인 게이트 전극의 양 측벽 상에 배치되는 스페이서; 상기 게이트 전극의 양측에 배치되며 상기 복수의 반도체 패턴에 연결되고, 상기 스페이서의 하면과 접촉하는 소스/드레인 영역; 및상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.