| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 고유전막의 누설전류는 1 A/㎠ 이하이고, 절연강도는 1 MV/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 3 | 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고유전막의 rms 표면거칠기가 20 nm 이하인 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 1 | 유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소막인 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 4 | (A) 플라즈마 반응기 내에 기판을 위치시키는 단계;(B) 상기 반응기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1가스 및 수소 가스를 포함하는 제2가스를 주입하는 단계; 및(C) 상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하여 탄화수소 박막을 성장시키며,이때 상기 탄화수소 박막이 유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소 박막이 되도록 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하는 것에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 5 | 제 4 항에 있어서,상기 반응기는,플라즈마 보조 화학기상증착, 유도결합 플라즈마 화학기상 증착 또는 전자싸이클로트론공명 화학기상증착을 위한 반응기인 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 6 | 제 4 항에 있어서,상기 반응기 내 온도는 20℃~700℃ 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 7 | 제 4 항에 있어서,상기 제1가스 중 탄화수소 가스와 제2가스 중 수소 가스의 체적 비가 100:1~1:50이 되도록 제1가스와 제2가스의 유량이 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 8 | 제 4 항에 있어서,상기 반응기 내 압력은 0.1 Torr~10 Torr 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 9 | 제 4 항에 있어서,상기 플라즈마의 세기는 100 W~1,000 W의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 10 | 제 4 항에 있어서,상기 기판은 반도체 기판 또는 금속 기판인 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 11 | 제 10 항에 있어서,금속 기판 상에서 성장되어 전사되는 것을 특징으로 하는 고유전막. |
| 12 | 제 1 항 또는 제 2 항의 고유전막을 포함하는 반도체 소자. |
| 13 | 제 1 항 또는 제 2 항의 고유전막을 포함하는 커패시터. |
