제5항에 있어서, 상기 Ni 시드층은,무전해 도금(electroless deposition)으로 증착되는 것을 특징으로 하는TGV 기판.

제6항에 있어서, 상기 고분자 코팅층은, 친수성을 갖는 것을 특징으로 하는 TGV 기판.

제7항에 있어서,상기 고분자 코팅층은,산소 플라즈마 공정이 수행되어 친수성을 갖는 것을 특징으로 하는, TGV 기판.

제1항에 있어서,상기 도전 물질은,전해 도금(electro-deposition)으로 충진되는 것을 특징으로 하는TGV 기판.

제1항에 있어서,상기 고분자 코팅층은,화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 TGV 기판.

제2항에 있어서,상기 도전 물질은,구리인 것을 특징으로 하는TGV 기판.

제3항에 있어서,상기 고분자 물질은,패럴린(Parylene)인 것을 특징으로 하는TGV 기판.

제4항에 있어서,상기 도전 물질은,상기 고분자 코팅층 상에 Ni 시드층을 형성한 후, Ni 시드층을 기반으로 충진되는 것을 특징으로 하는 TGV 기판.

유리 관통 비아(Through Glass Via, TGV)를 포함하는 유리 기판;고분자 물질을 포함하여 상기 유리 관통 비아의 내벽에 코팅되는 고분자 코팅층; 및상기 고분자 코팅층 상에 위치하여 상기 유리 관통 비아를 충진하는 도전 물질; 을 포함하는TGV 기판.

제1항에 있어서, 상기 고분자 코팅층의 영률(Young`s Modulus)은,상기 도전 물질 및 상기 유리 기판보다 낮은 것을 특징으로 하는 TGV 기판.

유리 기판을 마련하는 단계;상기 유리 기판에 유리 관통 비아(Through Glass Via, TGV)를 형성하는 단계;고분자 물질을 포함하는 고분자 코팅층을 상기 유리 관통 비아의 내벽에 코팅하는 단계; 및상기 고분자 코팅층 상에 도전 물질을 채워 상기 유리 관통 비아를 충진하는 단계; 를 포함하는TGV 기판 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 고분자 코팅층의 영률(Young`s Modulus)은,상기 도전 물질 및 상기 유리 기판보다 낮은 것을 특징으로 하는 TGV 기판 제조 방법.

제12항에 있어서,상기 도전 물질은,구리인 것을 특징으로 하는TGV 기판 제조 방법.

제13항에 있어서,상기 고분자 물질은,패럴린(Parylene)인 것을 특징으로 하는TGV 기판 제조 방법.

제14항에 있어서,상기 유리 관통 비아를 충진하는 단계 이전에, 상기 고분자 코팅층 상에 Ni 시드층을 형성하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 유리 관통 비아를 충진하는 단계는,상기 Ni 시드층을 기반으로 상기 도전 물질을 충진하는 것을 특징으로 하는 TGV 기판 제조 방법.

제15항에 있어서, 상기 Ni 시드층을 형성하는 단계는,무전해 도금(electroless deposition)으로 상기 Ni 시드층을 증착하는 것을 특징으로 하는TGV 기판 제조 방법.

제16항에 있어서, 상기 고분자 코팅층은, 친수성을 갖는 것을 특징으로 하는 TGV 기판 제조 방법.

제17항에 있어서,상기 Ni 시드층을 형성하는 단계 이전에, 상기 고분자 코팅층에 산소 플라즈마 공정을 수행하는 단계; 를 더 포함하는, TGV 기판 제조 방법.

제11항에 있어서,상기 유리 관통 비아를 충진 하는 단계는,전해 도금(electro-deposition)으로 상기 도전 물질을 충진하는 것을 특징으로 하는TGV 기판 제조 방법.

제11항에 있어서,상기 고분자 코팅층을 상기 유리 관통 비아의 내벽에 코팅하는 단계는,화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)으로 상기 고분자 코팅층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 TGV 기판 제조 방법.