망가니즈(Mn)계 물질 및 비스무트(Bi)계 물질을 용융시켜, 망가니즈-비스무트(MnBi)계 합금잉곳을 제조하는 단계;가스분무(gas-atomization)를 통해, 상기 MnBi계 합금잉곳을 분사하여, MnBi계 예비분말을 제조하는 단계;상기 MnBi계 예비분말을 열처리하여, 저온 상(low-temperature phase, LTP)을 포함하는 LTP-MnBi계 강자성분말을 제조하는 단계; 및저-에너지 볼-밀링(low-energy ball milling)을 통해, 상기 LTP-MnBi계 강자성분말을 분쇄하여, MnBi계 자성분말을 제조하는 단계를 포함하되,상기 MnBi계 합금잉곳을 제조한 후 및 상기 가스분무 전에, 상기 MnBi계 합금잉곳을 용융 온도 보다 높은 온도로 과열(superheat)하는 단계를 더 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

망가니즈(Mn)계 물질 및 비스무트(Bi)계 물질을 용융시켜, 망가니즈-비스무트(MnBi)계 합금잉곳을 제조하는 단계;가스분무(gas-atomization)를 통해, 상기 MnBi계 합금잉곳을 분사하여, MnBi계 예비분말을 제조하는 단계;상기 MnBi계 예비분말을 열처리하여, 저온 상(low-temperature phase, LTP)을 포함하는 LTP-MnBi계 강자성분말을 제조하는 단계; 및저-에너지 볼-밀링(low-energy ball milling)을 통해, 상기 LTP-MnBi계 강자성분말을 분쇄하여, MnBi계 자성분말을 제조하는 단계를 포함하되,상기 저-에너지 볼-밀링은, 1 시간 초과 내지 2 시간 미만으로 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

제1 항에 있어서, 상기 열처리는,270 ℃ 초과 내지 330 ℃ 미만에서 수행되는 것을 포함하고,12 시간 초과 내지 48 시간 미만으로 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

제1 항에 있어서, 상기 Mn계 물질 및 상기 Bi계 물질을 준비하는 단계를 더 포함하고,상기 Mn계 물질 및 상기 Bi계 물질은, MnxBi100-x의 화학 조성으로 제공되고,상기 x는 52 초과 내지 56 미만을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

제1 항에 있어서, 제조된 상기 MnBi계 예비분말을 체질(sieving)하는 단계를 더 포함하고,상기 체질 후에, 상기 MnBi계 예비분말은, 상기 체질 전보다 포화자화, 잔류자화, 각형비, 또는 보자력이 증가하는 것을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

제1 항에 있어서, 상기 분사 또는 상기 열처리는,비활성 가스 분위기에서 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

제1 항에 있어서, 상기 용융은,아크-멜팅(arc-melting) 또는 진공 유도 용해(vacuum induction melting, VIM)을 통해 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 자성분말 제조방법.

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망가니즈(Mn)계 물질 및 비스무트(Bi)계 물질을 용융시켜, 망가니즈-비스무트(MnBi)계 합금잉곳을 제조하는 단계;가스분무를 통해, 상기 MnBi계 합금잉곳을 분사하여, MnBi계 예비분말을 제조하는 단계;상기 MnBi계 예비분말을 열처리하여, 저온 상(LTP)을 포함하는 LTP-MnBi계 강자성분말을 제조하는 단계;저-에너지 볼-밀링을 통해, 상기 LTP-MnBi계 강자성분말을 분쇄하여, MnBi계 자성분말을 제조하는 단계;자장 중 성형(magnetic field pressing)을 통해, 상기 MnBi계 자성분말을 성형하여, MnBi계 성형체를 제조하는 단계; 및열간 가압 소결(hot pressing sintering)을 통해, 상기 MnBi계 성형체를 소결하여, MnBi계 영구자석을 제조하는 단계를 포함하되,상기 자장 중 성형은, 300 MPa 초과 내지 700 MPa 미만의 성형 압력으로 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 영구자석 제조방법.

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제9 항에 있어서, 상기 저-에너지 볼-밀링은, 1 시간 초과 내지 2 시간 미만으로 수행되는 것을 포함하고,상기 열처리는, 270 ℃ 초과 내지 330 ℃ 미만에서, 12 시간 초과 내지 48 시간 미만으로 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 영구자석 제조방법.

제9 항에 있어서, 상기 Mn계 물질 및 상기 Bi계 물질을 준비하는 단계를 더 포함하고,상기 Mn계 물질 및 상기 Bi계 물질은, MnxBi100-x의 화학 조성으로 제공되고,상기 x는 52 초과 내지 56 미만을 포함하는, MnBi계 영구자석 제조방법.

제9 항에 있어서, 제조된 상기 MnBi계 예비분말을 체질하는 단계를 더 포함하고,상기 체질 후에, 포화자화, 잔류자화, 각형비, 또는 보자력이 증가하는 것을 포함하는, MnBi계 영구자석 제조방법.

제9 항에 있어서, 상기 분사 또는 상기 열처리는, 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것을 포함하고,상기 용융은, 아크-멜팅(arc-melting) 또는 진공 유도 용해(vacuum induction melting, VIM)을 통해 수행되는 것을 포함하는, MnBi계 영구자석 제조방법.

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