금속 산화물 및 리튬 소스가 혼합된 제1 베이스 소스를 준비하는 단계;상기 제1 베이스 소스 및 리튬 전이금속 산화물을 섞어, 제2 베이스 소스를 제조하는 단계; 및상기 제2 베이스 소스를 열처리하여, 상기 금속 산화물의 금속이 도핑된 리튬 전이금속 산화물 양극재를 제조하는 단계를 포함하되,상기 리튬 전이금속 산화물에 도핑된 상기 금속의 몰 비율에 따라서, 상기 금속이 도핑된 리튬 전이금속 산화물 양극재가 적용된 리튬이차전지의 충방전 사이클 안정성이 제어되는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 리튬 전이금속 산화물에 도핑된 상기 금속의 몰 비율이 0.5mol% 초과 2.0mol% 미만으로 제어되어, 리튬이차전지의 충방전 사이클 안정성이 향상되는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 베이스 소스를 준비하는 단계는,상기 금속 산화물을 준비하는 단계;상기 금속 산화물을 그라인딩하는 단계;그라인딩된 상기 금속 산화물과 상기 리튬 소스를 혼합하는 단계; 및그라인딩된 상기 금속 산화물과 상기 리튬 소스가 혼합된 물질을 그라인딩하는 단계를 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 금속이 도핑된 리튬 전이금속 산화물 양극재를 제조하는 단계는,상기 제2 베이스 소스를 제1 온도까지 제1 승온 속도로 열처리한 후 제1 시간 동안 유지하는 제1 열처리 단계;상기 제1 온도까지 열처리된 상기 제2 베이스 소스를 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도까지 상기 제1 승온 속도로 열처리한 후 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 유지하는 제2 열처리 단계; 및상기 제2 온도까지 열처리된 상기 제2 베이스 소스의 온도를 감소시키는 단계를 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제4 항에 있어서, 상기 제1 열처리 단계는 2℃/min의 승온 속도로 500℃까지 열처리한 후 5시간 동안 유지하고, 상기 제2 열처리 단계는 2℃/min의 승온 속도로 650℃까지 열처리한 후 10시간 동안 유지하는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제1 금속을 포함하는 금속 산화물 및 리튬 소스가 혼합된 제1 베이스 소스를 준비하는 단계;상기 제1 베이스 소스 및 제2 금속이 도핑된 전이금속 수산화물을 섞어, 제2 베이스 소스를 제조하는 단계; 및상기 제2 베이스 소스를 열처리하여, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속이 도핑된 리튬 전이금속 산화물 양극재를 제조하는 단계를 포함하되,상기 제1 금속과 상기 제2 금속은, 동일한 금속인 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제6 항에 있어서,상기 제1 베이스 소스를 준비하는 단계는,상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 준비하는 단계;상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 그라인딩하는 단계; 및그라인딩된 상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물과 상기 리튬 소스가 혼합된 물질을 그라인딩하는 단계를 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

제6 항에 있어서,상기 제2 베이스 소스를 제조하는 단계는,전이 금속 소스와 상기 제2 금속을 포함하는 소스를 혼합하여, 전이금속 용액을 제조하는 단계;상기 전이금속 용액, 암모니아수, 및 수산화 나트륨을 공침 반응기에 반응시켜, 상기 제2 금속이 도핑된 전이금속 수산화물을 제조하는 단계; 및상기 제1 베이스 소스 및 상기 제2 금속이 도핑된 전이금속 수산화물을 섞는 단계를 포함하는 리튬이차전지 양극재의 제조 방법.

금속이 도핑된 리튬 전이금속 산화물을 포함하는 리튬이차전지 양극재에 있어서,상기 리튬 전이금속 산화물의 표면의 일 영역에 도핑된 상기 금속의 농도가, 상기 리튬 전이금속 산화물의 내부의 일 영역에 도핑된 상기 금속의 농도보다, 높은 것을 포함하고,상기 리튬 전이금속 산화물에 도핑된 상기 금속의 몰 비율에 따라, 상기 리튬이차전지 양극재가 적용된 리튬이차전지의 충방전 사이클 안정성이 제어되는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재.

제9 항에 있어서,상기 리튬 전이금속 산화물에 도핑된 상기 금속의 몰 비율이 0.5mol% 초과 2.0mol% 미만이고, 리튬이차전지의 충방전 사이클 안정성이 향상되는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재.

제9 항에 있어서,상기 금속이 도핑되지 않은 리튬 전이금속 산화물을 포함하는 리튬이차전지 양극재와 비교하여, 상기 리튬이차전지 양극재는 리튬이차전지의 동작에 따라 양극재의 표면에 생성되는 잔류 리튬의 양이 상대적으로 적은 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재.

제9 항에 있어서,상기 금속이 도핑되지 않은 리튬 전이금속 산화물을 포함하는 리튬이차전지 양극재와 비교하여, 상기 리튬이차전지 양극재는 리튬이차전지의 동작 이후 양극재의 표면 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석 결과 카보네이트 피크가 상대적으로 작게 나타나는 것을 포함하는 리튬이차전지 양극재.

제9 항에 있어서,상기 금속은 하프늄을 포함하는 리튬이차전지 양극재.