기판을 준비하는 단계;금속 나노 클러스터를 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 용액에 알칼리 금속을 포함하는 흡착 보조제를 첨가하는 단계;상기 용액의 pH를 제어하는 단계; 및상기 용액에 상기 기판을 담지하여 상기 기판 상에 상기 금속 나노 클러스터를 흡착시키는 단계를 포함하는 전극의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 용액 내에 상기 금속 나노 클러스터는, 유기 리간이드인 카르복시기(COOH)를 포함하고,상기 용액의 pH는, 상기 금속 나노 클러스터의 카르복시기가 카르복실레이트(COO-)로 전환되도록 제어되는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

제2 항에 있어서,상기 용액의 pH에 따라서, 상기 금속 나노 클러스터의 카르복실레이트와 상기 기판 사이의 계면에서, 상기 알칼리 금속의 양이온의 배위 형태가 제어되는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

제3 항에 있어서,상기 용액의 pH가 상기 기판의 등전점(isoelectric point)보다 낮은 산성 조건으로 제어되는 경우, 상기 알칼리 금속의 양이온은 아래의 003c#화학식 1003e#과 같이 제1 배위 형태를 갖는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.003c#화학식 1003e#(화학식 1에서 R은 유기 리간드이고 O는 카르복실레이트의 산소 원자임)

제3 항에 있어서,상기 용액의 pH가 상기 기판의 등전점(isoelectric point)보다 높은 염기성 조건으로 제어되는 경우, 상기 알칼리 금속의 양이온이 아래의 003c#화학식 2003e#과 같이 제2 배위 형태를 갖는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.003c#화학식 2003e#(화학식 2에서 R은 유기 리간드이고 O는 카르복실레이트의 산소 원자임)

제1 항에 있어서,상기 용액을 준비하는 단계는,금속 소스 및 유기 리간드 소스를 준비하는 단계;증류수에 상기 금속 소스 및 상기 유기 리간드 소스를 제공하고 혼합하여, 금속 나노 클러스터 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 금속 나노 클러스터 전구체 용액에 pH 조절제를 제공하여, 상기 금속 나노 클러스터 전구체 용액의 pH를 제어하는 단계; 및상기 금속 나노 클러스터 전구체 용액에 환원제를 제공하여 반응시켜, 상기 금속 나노 클러스터를 제조하는 단계를 포함하는 전극의 제조 방법.

제6 항에 있어서,상기 금속 소스는 염화금산인 것을 포함하고,상기 유기 리간드 소스는 글루타티온인 것을 포함하고,상기 pH 조절제는 수산화나트륨 용액인 것을 포함하고,상기 환원제는 수산화붕소나트륨인 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

금속 나노 클러스터를 포함하는 용액 내의 기판과 상기 금속 나노 클러스터가 흡착되는 전극의 제조 방법에 있어서,상기 용액에 알칼리 금속을 포함하는 흡착 보조제가 첨가된 것을 포함하고,상기 용액의 pH, 및 상기 용액 내에 상기 흡착 보조제의 몰 농도에 따라, 상기 기판과 상기 기판의 표면 상에 흡착된 금속 나노 클러스터의 사이의 계면의 밴드 벤딩(band bending)의 수준이 제어되는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

제8 항에 있어서,상기 흡착 보조제의 몰 농도가 증가할수록, 상기 계면의 상기 밴드 벤딩의 수준이 상향(upward)되는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

제8 항에 있어서,상기 용액의 pH가 상기 기판의 등전점(isoelectric point)보다 낮은 산성 조건으로 제어되는 경우, 상기 계면의 상기 밴드 벤딩의 수준이 상향(Upward)되는 것을 포함하고,상기 용액의 pH가 상기 기판의 등전점(isoelectric point)보다 높은 염기성 조건으로 제어되는 경우, 상기 계면의 상기 밴드 벤딩의 수준이 하향(Downward)되는 것을 포함하는 전극의 제조 방법.

기판;상기 기판 상에 흡착된 금속 나노 클러스터; 및 상기 기판과 상기 금속 나노 클러스터 사이의 계면에 제공된 알칼리 금속을 포함하는 전극.

제11 항에 있어서,상기 기판은 이산화티타늄을 포함하고,상기 금속 나노 클러스터는 Au22(SG)18인 것을 포함하고,상기 알칼리 금속은 나트륨인 것을 포함하는 전극.

제11 항에 따른 상기 전극을 광전극으로 이용하는 것을 포함하는 광전지.