반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치 및 이를 포함하는 연속 전해 장치
Semiconductor wafer electrolytic polishing apparatus and continuous electrolytic apparatus including the same
특허 요약
본 발명은 반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치는, 웨이퍼를 전해폴리싱 처리하기 위한 것으로, 음극판이 내부에 마련되어 있는 폴리싱 전해챔버; 상기 폴리싱 전해챔버의 하측에 설치되는 것으로, 양극판과 웨이퍼 고정을 위한 고정부재를 구비하는 하부캡; 상기 폴리싱 전해챔버의 하부캡 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 승강시켜서 상호 접근 및 이격되게 하는 승강수단; 및 상기 승강수단에 의해 폴리싱 전해챔버의 하부캡이 최대로 접근되어 상호 밀착된 상태에서 상기 폴리싱 전해챔버 내부에 전해연마 용액을 주입시켜서 전해폴리싱 공정이 수행되게 하는 용액 주입 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항
번호청구항
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웨이퍼를 전해폴리싱 처리하기 위한 것으로,음극판과 폴리싱 전해액이 내부에 마련되어 있는 폴리싱 전해챔버;상기 폴리싱 전해챔버의 상측에 설치되는 것으로, 양극판과 웨이퍼 고정을 위한 고정부재를 구비하는 상부캡; 및 상기 상부캡에 고정된 웨이퍼의 일면이 상기 폴리싱 전해챔버에 저장된 폴리싱 전해액이 접촉되게 놓여진 상태에서, 상기 폴리싱 전해챔버와 상부캡을 회전시켜서 음극판과 양극판의 위치를 180도 변경시키는 회전 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치.

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제6항에 있어서,상기 회전 수단은, 상기 폴리싱 전해챔버와 상부캡이 수용되는 결속 챔버와 상기 결속 챔버를 회전시켜 주기 위한 회전 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치.

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제6항의 반도체 웨이퍼 전해 폴리싱 장치;상기 웨이퍼에 폴리싱 공정을 수행하기 이전에 그 웨이퍼를 도금 처리하기 위한 것으로, 상기 폴리싱 전해챔버와 동축 상에 인접하게 배치되는 도금 챔버;상기 도금 챔버에 의한 도금 공정 수행 이후 폴리싱 전해챔버에 의한 폴리싱 공정 수행 이전에 웨이퍼를 세척시키기 위한 것으로, 상기 도금 챔버와 폴리싱 전해챔버 사이에 배치되는 세척 챔버; 및상기 도금 챔버, 세척 챔버 및 폴리싱 전해챔버가 설치되고, 웨이퍼를 각 챔버에 전달하여 주기 위한 전달암이 이동 가능하게 설치되는 연속공정 플랫폼;을 포함하는 것을 특징으로 하는 연속 전해 장치.