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번호	청구항
4	제2 항에 있어서, 상기 제2 절연층의 CROW 구조 상부 영역의 두께는 5nm 내지 10nm인 광변조기.
5	제4 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 격자 공진 구조는 상기 공진기가 배열된 방향의 양측 각각에 10개 내지 30개의 돌출 영역을 구비하는 광변조기,
6	제5 항에 있어서, 상기 돌출 영역이 돌출된 거리는 5nm 내지 300nm인 광변조기.
7	제6 항에 있어서, 상기 패드 영역에 접속되는 제1 전극; 및 상기 제2 반도체층의 상기 CROW 구조에 대응하는 영역 이외의 영역에 접속되는 제2 전극을 더 포함하는 광변조기.
1	반도체 기판 상의 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 마련되고, 도파 영역 및 패드 영역을 포함하고, 상기 도파 영역은 패드 영역의 표면보다 상부로 돌출되고 일방향으로 배열된 복수의 공진기를 포함하는 CROW 구조를 포함하는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 마련되는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 상에 마련되는 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제2 절연층의 CROW 구조 상부 영역의 두께는 상기 제2 절연층의 타 영역의 두께보다 작으며, 상기 공진기는 격자 공진 구조를 포함하고, 평면 상에서, 상기 격자 공진 구조는 상기 공진기가 배열된 방향에 평행하게 연장된 메인 스트림과, 상기 메인 스트림의 양측에서 상기 메인 스트림에 교차하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 영역을 포함하는 광변조기.
2	제1 항에 있어서, 상기 도파 영역은 CROW 구조에 대응하는 리브 영역과, 상기 리브 영역 양측의 슬랩 영역으로 구분되며, 상기 리브 영역에서의 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 도핑 농도는 상기 슬랩 영역에서의 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 광변조기.
3	제2 항에 있어서, 상기 리브 영역에서 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 1017cm-3 내지 1018cm-3의 도핑 농도를 가지고, 상기 슬랩 영역에서 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 1019 내지 1020cm-3의 도핑 농도를 가지는 광변조기.
8	반도체 기판; 상기 반도체 기판 상의 일측에 마련되는 광원; 및 상기 광원에 대향되는 상기 반도체 기판 상의 타측에 배치된 광변조기를 포함하고, 상기 광변조기는 반도체 기판 상의 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 마련되고, 도파 영역 및 패드 영역을 포함하고, 상기 도파 영역은 패드 영역의 표면보다 상부로 돌출되고 일방향으로 배열된 복수의 공진기를 포함하는 CROW 구조를 포함하는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 마련되는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 상에 마련되는 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제2 절연층의 CROW 구조 상부 영역의 두께는 상기 제2 절연층의 타 영역의 두께보다 작으며, 상기 공진기는 격자 공진 구조를 포함하고, 평면 상에서, 상기 격자 공진 구조는 상기 공진기가 배열된 방향에 평행하게 연장된 메인 스트림과, 상기 메인 스트림의 양측에서 상기 메인 스트림에 교차하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 영역을 포함하는 광학 모듈.
9	제8 항에 있어서, 상기 광원은 상기 공진기가 배열된 방향에서 상기 CROW 구조의 일단에 연결되는 광학 모듈.
10	제9 항에 있어서, 상기 도파 영역은 CROW 구조에 대응하는 리브 영역과, 리브 영역 양측의 슬랩 영역으로 구분되며, 상기 리브 영역에서의 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 도핑 농도는 상기 슬랩 영역에서의 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 광학 모듈.
11	제10 항에 있어서, 상기 리브 영역에서 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 1017cm-3 내지 1018cm-3의 도핑 농도를 가지고, 상기 슬랩 영역에서 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 1019 내지 1020cm-3의 도핑 농도를 가지는 광학 모듈.
12	제10 항에 있어서, 상기 제2 절연층의 CROW 구조 상부 영역의 두께는 5nm 내지 10nm인 광학 모듈.
13	제12 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 격자 공진 구조는 상기 공진기가 배열된 방향의 양측 각각에 10개 내지 30개의 돌출 영역을 구비하는 광학 모듈.
14	제13 항에 있어서, 상기 돌출 영역이 돌출된 거리는 5nm 내지 300nm인 광학 모듈.
15	제14 항에 있어서, 상기 패드 영역에 접속되는 제1 전극; 및 상기 제2 반도체층의 상기 CROW 구조에 대응하는 영역 이외의 영역에 접속되는 제2 전극을 더 포함하는 광학 모듈.
16	제1항에 있어서, 상기 메인 스트림이 연장된 방향에서, 상기 돌출 영역들은 중앙의 위상 편이 영역과, 상기 위상 편이 영역 양측에 복수의 격자로 구성된 반사 구조를 포함하고, 상기 메인 스트림이 연장된 방향에서 상기 위상 편이 영역의 폭은 상기 반사 구조의 폭보다 큰 광변조기.
17	제8항에 있어서, 상기 메인 스트림이 연장된 방향에서, 상기 돌출 영역들은 중앙의 위상 편이 영역과, 상기 위상 편이 영역 양측에 복수의 격자로 구성된 반사 구조를 포함하고, 상기 메인 스트림이 연장된 방향에서 상기 위상 편이 영역의 폭은 상기 반사 구조의 폭보다 큰 광학 모듈.