Zn 전구체 및 Mg 전구체를 포함하는 제1 반응 용액과, 알칼리 금속 수산화물을 포함하는 제2 반응 용액을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계; 상기 혼합 용액에 제1 초음파를 인가하여 ZnMgO 나노 입자 형태의 금속 산화물 나노 입자를 합성하는 제1 초음파 합성 단계; 및 상기 ZnMgO 나노 입자가 합성된 용액에 Mg 전구체를 추가로 투입한 후, 제2 초음파를 인가하여 Mg(OH)2 피막을 형성하는 제2 초음파 합성 단계를 포함하며, 상기 제2 초음파 합성 단계에서 합성된 금속 산화물 나노 입자는 상기 ZnMgO 나노 입자 형태의 코어와 상기 Mg(OH)2 피막 형태의 쉘을 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

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제1 항에 있어서, 상기 Zn 전구체는 Zn 아세테이트 다이하이드레이트(Zn acetate dihydrate)를 포함하고, 상기 Mg 전구체는 Mg 아세테이트 테트라하이드레이트(Mg acetate tetrahydrate)포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제 3항에 있어서, 상기 Zn 전구체에 대한 상기 Mg 전구체의 몰비는 0.05 내지 0.3인 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제4 항에 있어서, 상기 ZnMgO 나노 입자 내의 Mg 함량은 하기의 수학식 1로 표현되는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법[수학식 1]여기서 x(mol%)는 5 내지 15임.

제4 항에 있어서, 상기 제1 초음파 합성 단계 이후 또는 상기 제2 초음파 합성 단계 이후에 상기 금속 산화물 나노 입자를 회수하는 후처리 단계를 더 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제6 항에 있어서, 상기 후처리 단계는 ZnMgO 나노 입자를 침전시켜 ZnMgO 나노 입자 분말을 획득하는 분말 침전 단계; 상기 ZnMgO 나노 입자 분말을 정제 및 건조하는 정제 및 건조 단계; 및 정제된 상기 ZnMgO 나노 입자 분말을 용매에 재분산시키는 재분산 단계를 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제7 항에 있어서, 상기 분말 침전 단계는 상기 ZnMgO 나노 입자가 합성된 상기 혼합 용액에 침전 유도 용액을 추가하여 상기 ZnMgO 나노 입자의 침전을 유도하며, 상기 침전 유도 용액은 n-헥산(n-Hexane)을 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제7 항에 있어서, 상기 정제 및 건조 단계에서는, 상기 ZnMgO 나노 입자 분말의 정제는 에탄올 및 n-헥산(n-Hexane)이 혼합된 용액을 이용하여 상기 ZnMgO 나노 입자 분말을 복수회 정제하고 건조하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제7 항에 있어서, 상기 재분산 단계에서는, 정제된 ZnMgO 나노 입자 분말을 에탄올에 용해시키고 안정제를 첨가하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제10 항에 있어서, 상기 안정제는 에탄올아민(Ethanolamine)을 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법.

제1 항, 및 제3 항 내지 제11 항 중 어느 한 항의 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법에 의해 제조된 금속 산화물 나노 입자.

애노드 전극인 제1 전극; 캐소드 전극인 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제12 항의 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 전자 수송층을 포함하는 표시 장치.