제 6 항에 있어서,상기 HRP와 상기 GOx의 함량비가 10:0.9 내지 10:1.1인 미생물-효소 태양전지.

제 2 항에 있어서,상기 쉬와넬라 종의 세균은 Shewanella oneidensis MR-1을 포함하고,상기 바실러스 종의 세균은 Bacillus subtilis를 포함하는 미생물-효소 태양전지.

제 1 항에 있어서,상기 광합성 미생물은 시아노박테리아를 포함하는 미생물-효소 태양전지.

제 1 항에 있어서,상기 캐소드는,상기 기판 상에 적층되는 제2 도전성 페이스트 층;상기 제2 도전성 페이스트 층에 적층되는 제2 탄소 나노튜브 층; 및상기 제2 탄소 나노튜브 층에 적층되는 미세조류 층을 포함하는 미생물-효소 태양전지.

제 5 항에 있어서,상기 미세조류 층은 HRP와 GOx를 포함하는 미생물-효소 태양전지.

유로가 형성되는 기판;상기 유로와 접하도록 상기 기판에 형성된 애노드; 및상기 유로를 사이에 두고 상기 애노드와 마주하여 상기 기판에 형성된 캐소드를 포함하되,상기 애노드는,상기 기판 상에 적층되는 제1 도전성 페이스트 층;상기 제1 도전성 페이스트 층에 적층되는 제1 탄소 나노튜브 층;상기 제1 탄소 나노튜브 층에 적층되며, 광합성 작용을 하지 않는 종속영양세균과 금 나노 입자가 포함된 종속영양세균 층; 및상기 종속영양세균 층에 적층되며, 광합성 작용을 하는 광합성 미생물과 금 나노 입자가 포함된 광합성 미생물 층을 포함하는 미생물-효소 태양전지.

제 1 항에 있어서,상기 종속영양세균 층은,상기 제1 탄소 나노튜브 층에 적층되며, 쉬와넬라 종의 세균과 금 나노 입자를 포함하는 쉬와넬라 층; 및상기 쉬와넬라 층에 적층되며, 바실러스 종의 세균과 금 나노 입자를 포함하는 바실러스 층을 포함하는 미생물-효소 태양전지.

제 5 항에 있어서,상기 제1 도전성 페이스트 층은 PEDOT:PSS와 이산화망간(MnO2)의 혼합물이고,상기 제2 도전성 페이스트 층은 PEDOT:PSS와 산화은(Ag2O)의 혼합물인 미생물-효소 태양전지.

유로가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 유로와 접하도록 상기 기판에 애노드를 형성하는 단계; 및상기 유로를 사이에 두고 상기 애노드와 마주하여 상기 기판에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하되,상기 애노드를 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 도전성 페이스트 층을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 페이스트 층에 제1 탄소 나노튜브 층을 형성하는 단계;상기 제1 탄소 나노튜브 층에 광합성 작용을 하지 않는 종속영양세균과 금 나노 입자가 포함된 종속영양세균 층을 형성하는 단계; 및상기 종속영양세균 층에 광합성 작용을 하는 광합성 미생물과 금 나노 입자가 포함된 광합성 미생물 층을 형성하는 단계를 포함하는 미생물-효소 태양전지 제조 방법.

제 9 항에 있어서,상기 종속영양세균 층을 형성하는 단계는,상기 종속영양세균을 준비하는 단계;상기 종속영양세균에 금 이온 용액을 첨가하고, 기 설정된 시간 동안 배양하는 단계; 및배양이 완료된 상기 종속영양세균을 상기 제1 탄소 나노튜브 층에 도포하는 단계를 포함하는 미생물-효소 태양전지 제조 방법.

제 9 항에 있어서,상기 종속영양세균 층을 형성하는 단계는,상기 제1 탄소 나노튜브 층에 쉬와넬라 종의 세균과 금 나노 입자를 포함하는 쉬와넬라 층을 도포하는 단계; 및상기 쉬와넬라 층에 바실러스 종의 세균과 금 나노 입자를 포함하는 바실러스 층을 도포하는 단계를 포함하는 미생물-효소 태양전지 제조 방법.