발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로로서, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 하프늄-지르코늄 옥사이드를 포함하고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 픽셀 회로.

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발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로로서, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터는 단일 게이트 트랜지스터인, 픽셀 회로.

발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로로서, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터는 이중 게이트 트랜지스터인, 픽셀 회로.

제1항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스는 상기 신호선에 접속되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트는 상기 주사선에 접속되며, 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 및 상기 스토리지 커패시터의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 상기 스토리지 커패시터의 타단은 접지 전원에 접속되는, 픽셀 회로.

발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로로서, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 절연막인 절연층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 픽셀 회로.

발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로를 포함하는 표시장치로서, 상기 픽셀 회로는, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 하프늄-지르코늄 옥사이드를 포함하고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 표시장치.

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발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로를 포함하는 표시장치로서, 상기 픽셀 회로는, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터는 단일 게이트 트랜지스터인, 표시장치.

발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로를 포함하는 표시장치로서, 상기 픽셀 회로는, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터는 이중 게이트 트랜지스터인, 표시장치.

제7항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스는 상기 신호선에 접속되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트는 상기 주사선에 접속되며, 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 및 상기 스토리지 커패시터의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 상기 스토리지 커패시터의 타단은 접지전원에 접속되는, 표시장치.

발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로를 포함하는 표시장치로서, 상기 픽셀 회로는, 주사선 및 신호선이 교차하는 지점에 연결되는 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터로부터 상기 신호선상의 데이터 전압을 전달받고, 상기 데이터 전압을 상기 발광 다이오드에 공급될 전류로 변형하는 구동 트랜지스터; 및 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 전압을 유지하는 스토리지 커패시터;를 포함하되, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 절연막인 절연층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 표시장치.

기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터 및 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 전극상에 메탈버스를 형성하고, 상기 메탈버스를 서로 이격시켜 제1 메탈버스 및 제2 메탈버스를 형성하는 단계; 상기 제2 메탈버스상에 강유전체층을 형성하여, 상기 스토리지 전극을 일측 전극으로 상기 강유전체층을 유전물질층으로 하는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계; 및 상기 제1 메탈버스상에 발광층을 포함하는 발광 소자를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 하프늄-지르코늄 옥사이드를 포함하고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 표시장치 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 스토리지 커패시터의 강유전체층은 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 위에 배치되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소오스는 신호선에 접속되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 주사선에 접속되며, 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 스토리지 커패시터의 일단은 상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 상기 스토리지 커패시터의 타단은 접지 전원에 접속되는, 표시장치 제조방법.

기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터 및 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 전극상에 메탈버스를 형성하고, 상기 메탈버스를 서로 이격시켜 제1 메탈버스 및 제2 메탈버스를 형성하는 단계; 상기 제2 메탈버스상에 강유전체층을 형성하여, 상기 스토리지 전극을 일측 전극으로 상기 강유전체층을 유전물질층으로 하는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계; 및 상기 제1 메탈버스상에 발광층을 포함하는 발광 소자를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 제2 박막 트랜지스터는 단일 게이트 트랜지스터이고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트 절연막인 절연층은 강유전체로 이루어지고,상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 표시장치 제조방법.

기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터 및 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 전극상에 메탈버스를 형성하고, 상기 메탈버스를 서로 이격시켜 제1 메탈버스 및 제2 메탈버스를 형성하는 단계; 상기 제2 메탈버스상에 강유전체층을 형성하여, 상기 스토리지 전극을 일측 전극으로 상기 강유전체층을 유전물질층으로 하는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계; 및 상기 제1 메탈버스상에 발광층을 포함하는 발광 소자를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 스토리지 커패시터의 유전 물질층은 강유전체로 이루어지고, 상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되고, 상기 제2 박막 트랜지스터는 이중 게이트 트랜지스터이고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트 절연막인 절연층은 강유전체로 이루어지고,상기 강유전체는 프로그래밍 가능한 다결정질(polycrystalline)로 형성되는, 표시장치 제조방법.