양자점 적층 방법을 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 홀 주입층(HIL)을 형성하는 단계; 상기 홀 주입층상에 홀 수송층(HTL)을 형성하는 단계; 상기 홀 수송층상에 ALD 공정을 통하여 다층 박막의 발광층(EML)을 형성하는 단계; 상기 발광층상에 전자 수송층(ETL)을 형성하는 단계; 및 상기 전자 수송층상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 다층 박막의 발광층(EML)을 형성하는 단계는 순서대로 제1색 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제1색 양자점층이 형성된 기판에 대해 제1 ALD 공정을 진행하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 ALD 공정을 마친 기판에 대해 제2색 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제2색 양자점이 형성된 기판에 대해 제2 ALD 공정을 진행하여 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 제2 ALD 공정을 마친 기판에 대해 제3색 양자점층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 금속 산화물층은 각각 상기 제1색 양자점층 및 제2색 양자점층에 대해 용매 저항성을 부여하되 QD로의 전하 수송에는 영향을 미치지 않으며, 상기 전자 수송층은 ZnO NPs(ZnO Nano-Particles)을 포함하는, 방법.

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제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 ZnO를 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 제1색 양자점층을 형성하는 단계는청색 양자점 20 mg/mL을 30초동안 2000 rpm으로 코팅하고, 이후 180℃에서 30분간 열처리를 진행하는 과정을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 제2색 양자점층을 형성하는 단계는7 mg/mL의 녹색 양자점을 30초동안 2000 rpm으로 코팅하고, 이후 180℃에서 30분간 열처리를 진행하는 과정을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 제3색 양자점층을 형성하는 단계는10 mg/mL의 적색 양자점을 30초 동안 2000 rpm으로 코팅하고, 이후 180 ℃에서 30분간 열처리를 진행하는 과정을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 ALD 공정은 ALD 챔버에서 전구체와 반응물을 교대로 주입하며, 각각의 반응 후 배출하는 공정을 n번(n은 자연수) 반복하는 과정을 포함하는, 방법.

제7항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 ALD 공정은 ZnO의 전구체인 DEZ를 0.1초 주입한 후 15초 동안 배출해주고, 반응물인 H2O를 0.1초 주입한 후 50초 동안 배출하며, 이 모든 과정을 n번(n은 자연수) 반복하여 ZnO를 형성하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 홀 주입층(HIL)을 형성하는 단계는 홀 주입층으로 PEDOT:PSS을 30초동안 4000 rpm으로 스핀 코팅 진행 하고 공기 중에서 120℃에서 5분간 열처리 한 후 N2 분위기인 글러브 박스에서 210℃ 에서 10분간 열처리를 수행하는 과정을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 홀 수송층(HTL)을 형성하는 단계는 홀 수송층로 TFB 5 mg과 F4TCNQ 1 mg을 m-xylene 1 mL에 용해시키고, 이후 30초동안 3000 rpm으로 스핀 코팅 하고 180 ℃에서 30분간 열처리를 수행하는 과정을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서, 상기 전자 수송층(ETL)을 형성하는 단계는 전자 수송층으로 ZnO 나노입자를 30 mg/mL의 농도로 30초 동안 2000 rpm으로 스핀 코팅을 진행하는 과정을 포함하는, 방법.

양자점 적층 방법을 이용한 백색 발광 다이오드 장치로서, 기판; 상기 기판상에 형성되는 홀 주입층(HIL); 상기 홀 주입층상에 형성되는 홀 수송층(HTL); 상기 홀 수송층상에 형성되는 다층 박막의 발광층(EML); 상기 발광층상에 형성되는 전자 수송층(ETL); 및 상기 전자 수송층상에 형성되는 전극;을 포함하되, 상기 다층 박막의 발광층은 제1색 양자점층, 상기 제1색 양자점층 위에 제2색 양자점 및 상기 제2색 양자점층 위에 제3색 양자점층을 포함하는, 장치.상기 다층 박막의 발광층은 상기 제1색 양자점층과 상기 제2색 양자점층 사이에서 상기 제1색 양자점층에 대해 용매 저항성을 부여하는 제1 저항성 부여층; 및 상기 제2색 양자점층과 상기 제3색 양자점층 사이에서 상기 제2색 양자점층에 대해 용매 저항성을 부여하는 제2 저항성 부여층을 더 포함하며, 상기 제1 저항성 부여층 및 상기 제2 저항성 부여층은 ALD 공정의 전구체와 반응물의 반응을 통해 형성되며, 상기 제1 저항성 부여층 및 상기 제2 저항성 부여층은 각각 상기 제1색 양자점층 및 제2색 양자점층에 대해 용매 저항성을 부여하되 QD로의 전하 수송에는 영향을 미치지 않는, 장치.

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제12항에 있어서, 상기 제1 저항성 부여층 및 상기 제2 저항성 부여층은 금속 산화물을 포함하는, 장치.

제16항에 있어서, 상기 금속 산화물은 ZnO를 포함하는, 장치.

제17항에 있어서, 상기 제1 저항성 부여층 및 상기 제2 저항성 부여층은 각각 두께 2 nm 이하의 ZnO 층인, 장치.

양자점 적층 방법으로서, 제1색 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제1색 양자점층이 형성된 기판에 대해 제1 ALD 공정을 진행하여 제1 금속 산화물층을 증착하는 단계; 상기 제1 ALD 공정을 마친 기판에 대해 제2색 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제2색 양자점층이 형성된 기판에 대해 제2 ALD 공정을 진행하여 제2 금속 산화물층을 증착하는 단계; 및상기 제2 ALD 공정을 마친 기판에 대해 제3색 양자점층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 금속 산화물층은 각각 상기 제1색 양자점층 및 제2색 양자점층에 대해 용매 저항성을 부여하되 QD로의 전하 수송에는 영향을 미치지 않는, 방법.

제19항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 ALD 공정은 ALD 챔버에서 전구체와 반응물을 교대로 주입하며, 각각의 반응 후 배출하는 공정을 n번(n은 자연수) 반복하는 과정을 포함하는, 방법.