제3 항에 있어서,상기 CTTFT는 터널링 레이어(tunneling layer), 트래핑 레이어 (trapping layer) 및 장벽 레이어(barrier layer)를 포함하고,온 상태로 설정된 상기 게이트 라인을 통해 상기 트래핑 레이어의 전하 트랩에 기초하여 상기 데이터가 저장되는, 디스플레이 픽셀.

메모리 기능을 구비한 디스플레이 픽셀에 있어서,상기 픽셀 구동 여부를 제어하는 스위칭 TFT(thin film transistor);상기 픽셀 구동 전류 제어 및 메모리 기능을 수행하는 전하 트래핑 TFT(CT(charge trapping) TFT);상기 스위칭 TFT에 기초하여 인가되는 전압을 유지하는 저장 커패시터;상기 CTTFT에 기초하여 인가되는 전류를 통해 발광되는 제1 발광 광원; 및상기 CTTFT의 상기 메모리 기능에 기초하여 데이터 삭제를 위해 발광되는 제2 발광 광원을 포함하는, 디스플레이 픽셀.

제1 항에 있어서,상기 CTTFT는 상기 메모리 기능에 기초하여 프로그래밍 동작을 통해 데이터를 저장하고, 상기 메모리 기능에 기초하여 이레이저 동작을 통해 데이터를 삭제하는, 디스플레이 픽셀.

제2 항에 있어서,상기 메모리 기능에 기초하여 상기 프로그래밍 동작이 수행되는 경우, CTTFT 인가 전압을 오프 상태로 설정하여 CTTFT의 소스 및 CTTFT의 드레인 영역을 오프 상태로 설정하고,스위칭 TFT의 인가 전압으로 제1 데이터 라인을 온 상태로 설정하여 상기 CTTFT에 기초한 게이트 라인을 온 상태로 설정하고,온 상태로 설정된 상기 게이트 라인에 기초하여 상기 CTTFT에 데이터가 저장되는, 디스플레이 픽셀.

제4 항에 있어서,상기 메모리 기능에 기초하여 상기 프로그래밍 동작이 수행되는 경우, 전압 상기 게이트 라인은 양(positive)의 전압을 형성하고, 상기 스위칭 TFT의 인가 전압 세기에 기초하여 상이한 데이터가 저장되는, 디스플레이 픽셀.

제2 항에 있어서,상기 메모리 기능에 기초하여 상기 이레이저 동작이 수행되는 경우, 상기 제2 발광 광원 인가 전압으로 제2 데이터 라인을 온 상태로 설정하여 상기 발광 광원을 온 상태로 설정하고,스위칭 TFT의 인가 전압으로 제1 데이터 라인을 온 상태로 설정하여 상기 CTTFT에 기초한 게이트 라인을 온 상태로 설정하고,CTTFT 인가 전압을 오프 상태로 설정하여 CTTFT의 소스 및 CTTFT의 드레인 영역을 오프 상태로 설정함으로써 상기 CTTFT에 저장된 데이터를 제거하는, 디스플레이 픽셀.

제6 항에 있어서,상기 CTTFT는 터널링 레이어(tunneling layer), 트래핑 레이어 (trapping layer) 및 장벽 레이어(barrier layer)를 포함하고,상기 이레이저 동작이 수행되는 경우, 온 상태로 설정된 상기 제2 발광 광원의 발광을 통해 전자-홀 페어가 생성되고, 상기 전자-홀 페어 중 홀이 상기 트래핑 레이어 내로 전달되어 상기 트래핑 레이어 내의 전자와 상기 홀이 재결합하여 상기 CTTFT에 저장된 상기 데이터가 제거되는, 디스플레이 픽셀.

제1 항에 있어서,상기 CTTFT는 TFT 기판, TFT의 하위 게이트, 데이터를 저장하는 트래핑 레이어, 산화물 반도체로 구성된 채널 레이어, TFT의 드레인, TFT의 소스 및 상기 제2 발광 광원으로 구성되는, 디스플레이 픽셀.

제8 항에 있어서,상기 제2 발광 광원에 기초하여 상기 트래핑 레이어로 홀(hole)을 제공하여 상기 트래핑 레이어에 저장된 데이터를 삭제하되,상기 홀(hole)이 옆 방향, 아래 방향 및 대각선 방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 상기 트래핑 레이어로 삽입되도록 상기 제2 발광 광원이 상기 CTTFT의 상기 TFT 기판에 집적되는, 디스플레이 픽셀.

제9 항에 있어서,상기 제2 발광 광원의 전극과 상기 TFT의 드레인 및 상기 TFT의 소스의 전극이 상이한 전극을 사용하도록 상기 제2 발광 광원이 상기 TFT 기판에 집적되는, 디스플레이 픽셀.

제1 항에 있어서,상기 발광 광원은 발광 다이오드, 레이저, 램프 및 자연 광원 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 픽셀.

메모리 기능을 구비한 디스플레이 픽셀에 있어서,상기 픽셀 구동 여부를 제어하는 스위칭 TFT(thin film transistor);상기 픽셀 구동 전류 제어 및 메모리 기능을 수행하는 전하 트래핑 TFT(CT(charge trapping) TFT);상기 스위칭 TFT에 기초하여 인가되는 전압을 유지하는 저장 커패시터;상기 CTTFT에 기초하여 인가되는 전류를 통해 발광되는 제1 발광 다이오드; 및상기 CTTFT의 상기 메모리 기능에 기초하여 데이터 삭제를 위해 발광되는 제2 발광 다이오드를 포함하는, 디스플레이 픽셀.

메모리 기능을 구비한 디스플레이 픽셀에 있어서,스위칭 TFT부;CTTFT부;커패시터부; 및발광 광원부를 포함하되,상기 스위칭 TFT부는 상기 픽셀 구동 여부를 제어하고,상기 CTTFT부는 상기 픽셀 구동 전류 제어 및 메모리 기능을 수행하고,상기 커패시터부는 상기 스위칭 TFT에 기초하여 인가되는 전압을 유지하고,상기 발광 광원부의 제1 발광 광원은 상기 CTTFT에 기초하여 인가되는 전류를 통해 발광되고, 상기 발광 광원부의 제2 발광 광원은 상기 CTTFT의 상기 메모리 기능에 기초하여 데이터 삭제를 위해 발광되는, 디스플레이 픽셀.

메모리 기능을 구비한 디스플레이 픽셀에 데이터를 저장하고 제거하는 방법에 있어서,상기 픽셀 구동 전류 제어 및 메모리 기능을 수행하는 CTTFT 인가 전압을 오프 상태로 설정하는 단계;상기 픽셀 구동 여부를 제어하는 스위칭 TFT 인가 전압으로 제1 데이터 라인을 온 상태로 설정하여 게이트 라인을 온 상태로 설정함으로써 데이터를 CTTFT의 트래핑 레이어에 기초하여 저장하는 단계; 데이터 삭제를 위해 발광되는 제2 발광 광원 인가 전압을 온 상태로 설정하는 단계; 및상기 CTTFT 인가 전압을 오프 상태로 설정하고, 상기 스위칭 TFT 인가 전압으로 상기 제1 데이터 라인을 온 상태로 설정하여 상기 게이트 라인을 온 상태로 설정함으로써 상기 데이터를 상기 CTTFT의 트래핑 레이어에서 삭제하는 단계를 포함하는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제14 항에 있어서,상기 데이터를 상기 CTTFT의 트래핑 레이어에 기초하여 저장하는 경우, 온 상태로 설정된 상기 게이트 라인을 통해 상기 트래핑 레이어의 전하 트랩에 기초하여 상기 데이터가 저장되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제15 항에 있어서,상기 데이터를 상기 CTTFT의 트래핑 레이어에 기초하여 저장하는 경우, 전압 상기 게이트 라인은 양(positive)의 전압을 형성하고, 상기 스위칭 TFT의 인가 전압 세기에 기초하여 상이한 데이터가 저장되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제14 항에 있어서,상기 데이터를 상기 CTTFT의 트래핑 레이어에서 삭제하는 경우, 온 상태로 설정된 상기 제2 발광 광원의 발광을 통해 전자-홀 페어가 생성되고, 상기 전자-홀 페어 중 홀이 상기 트래핑 레이어 내로 전달되어 상기 트래핑 레이어 내의 전자와 상기 홀이 재결합하여 상기 CTTFT에 저장된 상기 데이터가 제거되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제14 항에 있어서,상기 CTTFT는 TFT 기판, TFT의 하위 게이트, 데이터를 저장하는 트래핑 레이어, 산화물 반도체로 구성된 채널 레이어, TFT의 드레인, TFT의 소스 및 상기 제2 발광 광원으로 구성되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제18 항에 있어서,상기 제2 발광 광원에 기초하여 상기 트래핑 레이어로 홀(hole)을 제공하여 상기 트래핑 레이어에 저장된 데이터를 삭제하되,상기 홀(hole)이 옆 방향, 아래 방향 및 대각선 방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 상기 트래핑 레이어로 삽입되도록 상기 제2 발광 광원이 상기 CTTFT의 상기 TFT 기판에 집적되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.

제19 항에 있어서,상기 제2 발광 광원의 전극과 상기 TFT의 드레인 및 상기 TFT의 소스의 전극이 상이한 전극을 사용하도록 상기 제2 발광 광원이 상기 TFT 기판에 집적되는, 디스플레이 픽셀의 데이터 저장 및 제거 방법.