전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법, 전고체 전지용 고체전해질막 및 상기 전고체 전지용 고체전해질막이 구비된 전고체 전지
MANUFACTURING METHOD OF SOLID ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALL-SOLID-STATE SECONDARY BATTERY, SOLID ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALL-SOLID-STATE SECONDARY BATTERY AND ALL-SOLID-STATE SECONDARY BATTERY PROVIDED WITH THE SAME
특허 요약
본 발명은 액상 광경화형 바인더, 열경화형 바인더 및 이온전도성 무기물 입자를 혼합하여 고체전해질 슬러리를 제조하는 단계, 상기 고체전해질 슬러리를 기판에 코팅하는 단계, 자외선으로 상기 고체전해질 슬러리를 광경화하는 제1 단계 및 상기 고체전해질 슬러리를 열경화하는 제2 단계를 포함하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법에 관한 것이다.
청구항
번호청구항
1

액상 광경화형 바인더, 열경화형 바인더 및 이온전도성 무기물 입자를 혼합하여 고체전해질 슬러리를 제조하는 단계;상기 고체전해질 슬러리를 기판에 코팅하는 단계;자외선으로 상기 고체전해질 슬러리를 광경화하는 제1 단계; 및상기 고체전해질 슬러리를 상기 광경화하는 제 1단계 이후에 열경화하는 제2 단계를 포함하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

2

제1항에 있어서,상기 액상 광경화형 바인더는 아크릴레이트계, 에폭시계 및 티올계 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

3

제1항에 있어서, 상기 열경화형 바인더는 에폭시계, 규소(실리콘)계 및 이소시아네이트계 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

4

제1항에 있어서,상기 이온전도성 무기물 입자는 산화물계, 할라이드계 및 황화물계 이온전도성 무기물 입자 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

5

제1항에 있어서,상기 자외선으로 상기 고체전해질 슬러리를 광경화하는 제1 단계는 파장이 100 nm 내지 450 nm의 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

6

제1항에 있어서,상기 고체전해질 슬러리를 열경화하는 제2 단계는 50℃ 내지 150℃의 온도 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전고체 전지용 고체전해질막의 제조 방법.

7

액상 광경화형 바인더, 열경화형 바인더 및 이온전도성 무기물 입자를 포함하는 전고체 전지용 고체전해질막.

8

양극; 제7항의 전고체 전지용 고체전해질막; 및 음극이 순차적으로 구비된 전고체 전지.