축방향 및 축방향에 수직한 일 면을 갖도록 형성되는 고분자 매트릭스;상기 고분자 매트릭스에 첨가되는 제1 h-BN(육방정계 질화붕소); 및상기 고분자 매트릭스에 첨가되며, 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 보다 작은 크기를 갖는 제2 h-BN(육방정계 질화붕소); 을 포함하고,상기 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)은,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 표면 또는 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 간 사이에 위치하여, 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 간 공극을 감소시키며, 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소)이 상기 일 면에 수직 배향하도록 하고,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 및 상기 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)의 부피비는 1:1 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재.

제1항에 있어서,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소)은 마이크로 크기이고, 상기 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)은 나노 크기인 열전도성 복합소재.

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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는,PDMS, PE, PP, PMMA, PC 및 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는열전도성 복합소재.

제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 함량이 40 vol% 내지 70 vol% 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재.

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축방향 및 축방향에 수직한 일 면을 갖도록 형성되는 고분자 매트릭스를 준비하는 단계;상기 고분자 매트릭스에 제1 h-BN(육방정계 질화붕소)을 첨가하는 단계; 및상기 고분자 매트릭스에 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 보다 작은 크기의 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)을 첨가하는 단계; 를 포함하고,상기 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)은,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 표면 또는 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 간 사이에 위치하여, 상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 간 공극을 감소시키며, 상기 제1 h-Bn(육방정계 질화붕소)이 상기 일 면에 수직 배향하도록 하고,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소) 및 상기 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)의 부피비가 1:1 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재 제조방법.

제10항에 있어서,상기 제1 h-BN(육방정계 질화붕소)은 마이크로 크기이고, 제2 h-BN(육방정계 질화붕소)은 나노 크기인 열전도성 복합소재 제조방법

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제10항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는,PDMS, PE, PP, PMMA, PC 및 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는열전도성 복합소재 제조방법.

제10항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 함량이 40 vol% 내지 70 vol% 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재 제조방법.

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