| 번호 | 청구항 |
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| 1 | SiO2 기판 상에 Ru 박막을 형성하는 원자층 증착법으로서,(1)임의의 기준 시간 동안 1회 이루어지는 전구체 주입 단계 및 상기 주입된 전구체 퍼지 단계를, 상기 기준 시간을 n회(n≥2) 분할한 회수만큼 반복하여 수행하는 단계;(2)반응제를 주입하는 단계; 및(3)상기 반응제를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 단계 (1) 내지 단계 (3)을 단위 공정으로 하고, 상기 단위 공정을 다수 사이클 반복 수행하되, 전체 공정 시간은 동일한 조건의 종래 원자층 증착 공정과 같아지도록 박막을 형성하며,상기 전구체는 bis(ethylcyclopentadienyl) Ruthenium [Ru(EtCp2)], η4-2,3-dimethylbutadiene ruthenium tricarbonyl [Ru(DMBD)(CO)3], RuO4, cis-dicarbonyl bis(5-methylhexane-2,4-dionate)Ru [Carish Ru] 중 어느 하나이며, 상기 반응제는 H2O, H2O2, O2, O3, NH3, H2, N2, tBuNH2, AyNH2, Me2NNH2 중 어느 하나 또는 이들의 혼합기체이며,상기 기준 시간은 전구체 주입에 대해서 4초, 전구체 퍼지에 대해 20초이고, n은 4이며,상기 반응제를 주입하는 단계는 1.5초 동안 이루어지며,상기 반응제를 퍼지하는 단계는 15초 동안 이루어지며,형성된 Ru 박막은 두께가 30nm이며 결정립 크기가 5nm인 비정질인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법. |
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