| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 기판;상기 기판 상에 형성된 N형 반도체층;상기 N형 반도체층 상에 형성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성된 P형 반도체층을 포함하며,상기 발광층은GaN을 포함하는 제1 및 제2장벽층;상기 제1 및 제2장벽층 사이에 형성되며, InGaN을 포함하는 제1 및 제2우물층; 및상기 제1 및 제2우물층 사이에 형성되며, GaSbN을 포함하는 박막 레이어를 포함하는 발광 소자. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 제1장벽층은, 상기 제2장벽층보다 상기 N형 반도체층에 인접하여 형성되며,상기 제1장벽층에 인접하여 형성된 상기 제1우물층의 두께는, 상기 제2장벽층에 인접하여 형성된 상기 제2우물층의 두께보다 두꺼운발광 소자. |
| 3 | 제 2항에 있어서,상기 박막 레이어의 두께는상기 제1우물층의 두께보다 얇고, 상기 제2우물층의 두께보다 두꺼운발광 소자. |
| 4 | 제 2항에 있어서,상기 제1우물층의 두께는 2nm이며,상기 제2우물층의 두께는 1nm인발광 소자. |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 GaSbN에서 Ga, Sb 및 N의 원자수 비율은1: 0.04: 0.96인발광 소자. |
| 6 | 제 1항에 있어서,상기 발광 소자는적색광 발광 소자인발광 소자. |
| 7 | 기판;상기 기판 상에 형성된 N형 반도체층;상기 N형 반도체층 상에 형성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성된 P형 반도체층을 포함하며,상기 발광층은GaN을 포함하는 제1 및 제2장벽층;상기 제1 및 제2장벽층 사이에 형성되며, InGaN을 포함하는 우물층; 및상기 우물층의 내부에 형성되며, GaSbN을 포함하는 박막 레이어를 포함하는 발광 소자. |
| 8 | 제 7항에 있어서,상기 박막 레이어는상기 N형 반도체층에 인접한 상기 제1장벽층보다, 상기 P형 반도체층에 인접한 상기 제2장벽층에 가까이 형성되는발광 소자. |
| 9 | 제 7항에 있어서,상기 발광 소자는적색광 발광 소자인발광 소자. |
