기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 제1 금속을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 및상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 제2 금속을 포함하는 제2 전구체를 제공하여, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 합금 박막은 상기 제1 전구체의 리간드 및 상기 제2 전구체의 리간드의 반응에 의해 형성되고, 상기 제1 금속은, 티타늄(Ti), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 탄탈럼(Ta), 알루미늄(Al), 및 하프늄(Hf) 중 어느 하나를 포함하고,상기 제2 금속은, 티타늄(Ti), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 탄탈럼(Ta), 알루미늄(Al), 및 하프늄(Hf) 중 어느 하나를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 전구체의 리간드 및 상기 제2 전구체의 리간드는, 에틸 벤젠(Ethyl benzene), 에틸 싸이클로 헥사다이엔(Ethyl cyclo hexadiene), 싸이클로 프로페닐(Cyclo propanyl), 에톡시(Ethoxy), 메틸(Methyl), 및 에틸메틸 아민(Ethylmethyl amine) 중 어느 하나를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합금 박막 형성 단계는, 산소(O) 및 질소(N) 중 어느 하나를 포함하는 반응 가스 없이 수행되는 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합금 박막은, 스퍼터링(sputtering) 공정으로 형성된 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금 박막보다 스텝 커버리지(step coverage)가 높은 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합금 박막은, 산소(O) 및 질소(N) 중 어느 하나를 포함하는 반응 가스가 사용되어 형성된 상기 제1 금속 및 제2 금속의 합금 박막보다 산소(O)의 비율이 낮은 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합금 박막 형성 단계는, 상기 제1 전구체의 리간드 및 상기 제2 전구체의 리간드가 반응된 리간드 반응물이 상기 기판으로부터 제거되고, 상기 기판 상에 상기 제1 전구체의 상기 제1 금속 및 상기 제2 전구체의 상기 제2 금속이 잔존되는 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 디메틸 아민(Dimethyl amine)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 루테늄(Ru)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에틸 벤젠(Ethyl benzene) 및 에틸 싸이클로 헥사다이엔(Ethyl cyclo hexadiene) 중 어느 하나를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 이리듐(Ir)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 싸이클로 프로페닐(Cyclo propanyl)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 탄탈럼(Ta)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에톡시(Ethoxy)를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 알루미늄(Al)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 메틸(Methyl)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 금속이 하프늄(Hf)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에틸메틸 아민(Ethylmethyl amine)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 합금 박막내 탄소(C)의 비율(atomic %)이 산소(O)의 비율(atomic %)보다 높은 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 합금 박막의 두께가 증가함에 따라 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 함량이 선형적으로(linearly) 증가되는 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법.